电子技术第1章课件.ppt

任课教师：王艳萍 一、电子技术的发展 很大程度上反映在元器件的发展上 : 1904年，世界上第一只电子管在英国物理学家弗莱明的手下诞生了。 二、信号与电路 1. 信号：是反映消息的物理量 二、信号与电路 三、如何学习这门课程 四、考查方法 1. 会看：定性分析 2. 会算：定量计算 第1章 半导体器件的基本知识 1.1 半导体基本知识 半导体：导电能力介于绝缘体和导体之间的物质。 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素，其中硅应用最广。 半导体的特性 1.1.2 N型半导体 P型半导体的特性： 小结： 1.2 半导体二极管 1.2.1 PN结的形成及单向导电特性 2、PN结的单向导电性 （1）加正向电压（正偏）—正极接P区，负极接N区 （2）加反向电压（反偏） —正极接N区，负极接P区 外加电场与内电场方向相同，增强了内电场→空间电荷区变宽→多子扩散难以进行→少子在电场作用下形成反向电流 IR，称PN结处于高阻截止状态。 结论： PN结加正向电压（ P区电位高于N区电位）时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； 1.2.2 二极管的基本结构 1.2.3 二极管的伏安特性 1.2.4 二极管的主要参数 1、最大整流电流IF：指管子长期运行时，允许通过的最大正向平均电流。 2、反向击穿电压UBR：指管子反向击穿时的电压值。 3、最高反向工作电压UR:二极管使用时允许加的最大反向电压（约为UBR 的一半）。 4、反向电流IR：管子加上反向电压时的反向电流值，其值越小，则管子的单向导电性越好。 二极管电路分析举例 1、钳位电路 如图设二极管均为硅管（UD=0.6V），当A、B的电位分别为以下组合时，UF=？ 承受正向电压较大者优先导通 2、限幅电路 例：设ui=10sinωtV，DZ为理想二极管，E=5V。求输出电压u0波形。 1.2.6 稳压二极管 例：两个硅稳压管，UZ1 = 6V，UZ2=9V，求各图中的U0 例：如图所示电路，稳压管的稳定电压UZ=5V，正向电压降忽略不计。求当输入电压为为交流 ui= 10sinωt V，求u0的波形。 1.3.1 晶体管的基本结构 双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor）简称晶体管（BJT） ，由两种载流子在其内部作运动 在模电中主要起放大作用，在数电中起开关作用。 例：用直流电压表测某一个三极管工作于放大状态，三极管的管脚电位U1=2.8V，U2=2.1V，U3=7V，判断其管脚及管型。 1.3.3 伏安特性曲线 临界饱和 IBS = ICS /β,ICS ≈ UCC /RC 判断三极管的工作状态方法： （1）根据结的偏置来判别: 都反偏， 截止； 都正偏，饱和; 发射结正偏，集电结反偏，放大。 （2）根据IB和IC值来判别: IB ≤0 ，截止； IC =βIB ，放大； IB IBS (=ICS /β) ，饱和区； （2）根据IB和IC值来判别: IB ≤0 ，截止； IC =βIB ，放大； IB IBS (=ICS /β) ，饱和区； 1.3.4 晶体管的主要参数 例：某一晶体管的PCM=100mW，ICM=20mA，U(BR)CEO=15V，在下列几种情况下哪一种能正常工作（ ）？ A．IC=15mA，UCE=10V B．IC=40mA，UCE=2V C．IC=10mA，UCE=14V D．IC=10mA，UCE=3V 1.4 光电器件 1.4.1 发光二极管 1.4.2 光敏二极管 1.5 绝缘栅场效应晶体管（自学） 1.5.1 增强型绝缘栅场效应晶体管（N沟道） 箭头向外表示为P沟道 2、工作原理（N沟道增强型） （1） 当UGS=0时，漏极D与源极S之间是两个背靠背的PN结，不管漏极和源极之间所加的电压极性如何，总有一个PN结处于反向偏置，所以，漏极电流ID=0。 （2）当UGS＞0V时→垂直于衬底表面的电场→把衬底中的电子吸引到表面层→耗尽层 3、特性曲线 1.5.2 绝缘栅场效应晶体管的4种基本类型 1.5.3 主要参数 1.5.4 晶体管和场效应晶体管的比较 教学要求： （1）掌握普通二极管和稳压管外特性及主要参数，正确理解它们的工作原理。 （2）掌握双极性三极管的输入、输出特性及主要参数，正确理解它的工作原理。 （3）了解本征半导体、杂质半导体和PN结的形成。 放大区：当栅、源电压UGS为常数时，漏极电流ID几乎不随漏、源电压UDS的变化而变化，特性曲线趋于与横轴平行，输出电阻ro很大，在栅、源电压UGS增大时，漏极电流ID随UGS线性增大。 测得放大电路中六只晶体管的直流电