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* 物质(磁介质[Magnetic Medium])在磁场的作用下, 将发生变化,这种变化反过来又影响原来的磁场,这 种物质称为磁介质。在磁场作用下磁介质的变化── 磁化。这个与电介质在电场中的情形类似,因此,磁 介质的描述方法及物理量与电介质非常相似。 磁介质的应用主要有:发电机、电动机、变压 器中的铁芯、计算机中的记忆元件等。 磁介质有三种:顺磁质(paramagetic); 抗磁质(diamagnetic); 铁磁质(ferromagnetic)。 第九章 介质中的磁场 ( Magnetic Field in Medium) 本章主要研究磁化的宏观规律,重点是 磁场强度(magnetic intensity)和介质中的环 路定理,磁化的微观机理,铁磁质的磁化 规律。 一、磁介质磁化 (magnetize)的微观机制 首先介绍顺磁质的磁化机理 (1) 分子电流假说:安培认为,磁介质中的每一个 分子都可以看作一个环形电流,在无磁场时,这些 环形电流的磁矩方向在空间的取向是杂乱无章的。 如图所示 §9-1 磁介质的磁化 (2) 顺磁质的磁化 当顺磁质中存在磁场时,分子电 流的磁矩将与磁场方向趋于一致。这就是磁介质的磁 化。如图所示。出现 束缚磁化电流 (3) 为了描述分子磁矩在磁场中的取向排列的整齐 程度,定义磁化强度矢量: 比较: (4) 磁介质内部的磁感应强度 由于磁介质被磁化, 磁化电流将在磁介质中激发磁场,因此,磁介质中任 一点 P 的磁感应强度应该为: 式中 为 P 点的合磁感应强度, 为外磁场在 P 点的 磁感应强度, 为磁化电流在P点产生的磁感应强度。 二、磁化电流与磁化强度关系 假设: ① 介质宏观体积内,每个分子电流 Im 都相同; ② 每个分子电流所围面积为 S0 ; ③ 分子磁矩 pm 取向相同。 由特例给出(均匀磁化的柱形棒) 写成矢量形式: 此式具有普遍意义 取图示的回路,则有: 故有: I? 为S面上的电流,L为S面的边界。 1. 与磁化面电流密度 的关系: 在介质中任取一以 L 为边界的曲面 S ,计算通过 曲面 S 的磁化电流 I?,分子电流与 S 的关系可分为三 种情况: L (b) A (a) dl B C dl S L 我们现在推导磁化电流与磁化强度矢量的关系:如图 (A) 与 S 不相交; (B) 被 S 切割,与 S 相交二次; (C) 被 S 的边界 L 穿过,与 S 相交一次。 凡中心在圆柱体内的分子电流都被 dl 穿过,数量 为 ,贡献为 对比 所以 前二种 (A)(B) 对 I? 无贡献,只有 (C) 对 I? 有贡献。 在边界线 L 上任取一线元 ,以 为轴线, 以 为底面,作斜圆柱体,其体积为: 。 L (b) A (a) dl B C dl S L 磁化电流面密度与磁化强度关系: 若将 dl 取在介质表面处,且垂直于磁化电流线, 定义单位长度上的磁化面电流为磁化电流面密度: 一、磁场强度 , 磁介质中的安培环路定理 则磁介质中的安培环路定理为: §9-2 磁介质中的磁场 ( Magnetic Field in Medium) 这表明:磁场是无源场,是涡旋场。 由于磁化电流与传导电流在产生磁场方面 性质相同,故有介质时,高斯定理仍成立(普 适性): 对大多数磁介质,实验证实,磁化强度与磁场强度 成正比,即 ?m─ 磁介质的磁化率,是一个纯数。 定义磁介质相对磁导率为 磁介质的绝对磁导率(磁导率)为 于是在磁介质中有: 二、磁化率和磁导率, 解∶取圆形回路为安培回路,则有 在充满均匀磁介质场中磁感应强度为真空中的 ? r 倍。 [例题] 一圆柱形电流电流强度为 I,置于的无限大磁导 率为 ? r 的磁介质中,求:柱外任一点的 。 I L §9?3 磁介质的磁化规律 一、 磁介质分类及其特性: 顺磁质(弱) 抗磁质(弱) 铁磁质(强) (锰、铝、氧…) (铜、银、岩盐、氢…) (铁、钴、镍…) 有分子电流, 无净分子电流, 一般 有固有磁矩。 无固有磁矩。 为非线性关系。 有部分抗磁性, 由电磁感应产生 但总效果顺磁。 抗磁性。
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