第三讲太阳能光电材料及物理基础精要.pptVIP

能级分裂组成能带 * 该mN个能级可组成一个能量相近的能带 这时共有化的电子不在一个能级内运动，而是在一个晶体的能带 间运动，此能带称为允带。 允带之间没有电子运动的，称为禁带。 * * 半导体能带的特点 晶体实际的能带图比较复杂，可以把复杂的能带图进行简化 绝缘体、半导体和导体的简化能带图 a） 绝缘体 b）半导体 c）导体 Eg6eV * 半导体能带简化表示 a）能带简化表示 b） 能带最简化表示 一般用“Ec”表示导带底的能量，用Ev表示价带底的能量，Eg表示禁带宽度。 价带和导带之间的宽度？ 价带和导带的位置？ * 载流子 自由电子 自由空穴 * +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 共价键内的电子 称为束缚电子 价带 导带 挣脱原子核束缚的电子 称为自由电子 价带中留下的空位 称为空穴 禁带EG 外电场E 自由电子定向移动 形成电子流 束缚电子填补空穴的 定向移动形成空穴流 * 半导体的导电特征 导带上的电子参与导电 价带上的空穴也参与导电 半导体具有电子和空穴两种载流子 金属只有电子一种载流子 * 能带理论（小结） 能带的形成（能级交叠带来电子共有化以及能级分裂） 自由电子和空穴 * 能级理论 杂质半导体 杂质能级 费米能级 * 杂质半导体 原子并不是静止在具有严格周期性的晶格格点位置上，而是在平衡位置附近振动 半导体材料并不是纯净的，而是含有若干杂质 实际的半导体晶格结构并不是完整无缺的，而是存在着各种缺陷，点缺陷，线缺陷，面缺陷 * 杂质半导体 杂质半导体 掺入杂质的本征半导体。 掺杂后半导体的导电率大为提高 掺入三价元素如B、Al、In等， 形成P型半导体，也称空穴型半导体 掺入五价元素如P、Sb等， 形成N型半导体，也称电子型半导体 * 杂质半导体 N型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +5 +5 在本征半导体中掺入五价元素如P。 自由电子是多子 空穴是少子 杂质原子提供 由热激发形成 由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子 * 杂质半导体 P型半导体 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +3 +3 在本征半导体中掺入三价元素如B。 自由电子是少子 空穴是多子 杂质原子提供 由热激发形成 因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质 因而也称为受主杂质。 * * * 下表总结了不同类型半导体的特性 P型（正） N型（负） 掺杂 Ⅲ族元素（如硼） Ⅴ族元素（如磷） 价键 失去一个电子（空穴） 多出一个电子 多子 空穴 电子 少子 电子 空穴 * 杂质能级 施主能级，受主能级 深能级，浅能级 缺陷能级 杂质能级的概念 缘起：控制半导体材料的电学性能，或在加工过程中不可避免地引入杂质和缺陷 表现形式：杂质或者缺陷会在禁带中引入新的能级 分类标准1:杂质能级与价带或导带之间的相对距离（深能级，浅能级） 分类标准2：造成杂质能级的原因（施主，受主，缺陷） * 施主能级（以硅晶体中的磷原子为例) 由施主杂质引起的能级，被施主杂质所束缚的电子能量状态 4电子和硅原子的价电子组成共价键，多余的一个价电子被磷原子微弱地束缚在周围 在吸收一定能量之后，价电子会电离，脱离磷原子的束缚，电离能较小 用能带的角度来描述，区别于价带上的共价键电子，这个多余的电子具有一个相对的，位于禁带中的局域化能级 由于其受磷原子束缚较弱，电离能较小，所以只需很小的能量便可跃迁到导带，留下一个局域化的空能级，那么如何判断其在禁带中的相对位置？ * 施主能级(ED) * 一般形成n型半导体 受主能级(以硅晶体中的硼原子为例） * 易于形成p型半导体 浅能级与深能级 之前所提及到的受主能级离价带很近，施主能级离导带很近，与两个能带之间任意一个很接近的能级成为浅能级。(三，五族元素掺杂的受主能级和施主能级） 如果是非三，五族元素掺杂呢？他们形成的能级有什么特点？ * 他们产生的施主能级离导带底，受主能级离价带顶较远 由于电离能大，深能级杂质一般不电离，对 载流子没有贡献，但会成为载流子的复合中心 * 缺陷能级 点缺陷（空位，自间隙原子，杂质原子） 线缺陷（刃位错，螺位错，混合位错） 面缺陷（晶界，表面） 体缺陷（三维空间缺陷，沉淀，空洞） 对于光电转换来讲，缺陷是不是越少越好呢？ * * pn结 pn结的制备 pn结的内部结构 pn结的电压特性 * pn结的制备 合金法（半导体单晶上放置金属和半导体元素，通过升温工艺制备得） 扩散法（在p,n型半导体表面利用扩散工艺掺入相反类型的杂质，也是太阳能电池最常用的方法） 离子注入法（n型或p型掺杂剂的离子束在静电场中加速，