第四章平衡半导体精要.pptVIP

作业： 计算给定费米能级的热平衡电子浓度和空穴浓度，费米能级比导带低0.25ev，比价带高0.87ev 例题分析 I 说明：此半导体为 n 型半导体 计算给定费米能级的热平衡电子浓度和空穴浓度，费米能级比导带低0.87ev，比价带高0.25ev 例题分析 II 说明：此半导体为 p 型半导体 4. 3. 2 n0 和 p0 的乘积 说明：在某一温度下的给定半导体材料，n0和p0的乘积总是一个常数。 另外一种推导方法 说明：在某一温度下的给定半导体材料，n0和p0的乘积总是一个常数。 半导体中的载流子 主要内容 掺杂原子与能级 非本征半导体 施主和受主的统计学分布 电中性状态 费米能级的位置 说明：泡利不相容原理适用于施主和受主的能量状态 4. 4 施主和受主统计学分布 4. 4. 1 概率分布函数 说明：在某一温度下的给定半导体材料，n0和p0的乘积总是一个常数。 4. 4. 2 完全电离和束缚态 半导体中的载流子 主要内容 掺杂原子与能级 非本征半导体 施主和受主的统计学分布 电中性状态 费米能级的位置 同时还有施主杂质和受主杂质的半导体 4. 5. 1 补偿半导体 4. 5 电中性状态 4. 5. 1 补偿半导体 完全电离条件 半导体中的载流子 主要内容 掺杂原子与能级 非本征半导体 施主和受主的统计学分布 电中性状态 费米能级的位置 对掺杂浓度为Nd的n型半导体电中性条件 可得 4. 6. 1 数学推导 4. 6 费米能级的位置 得到 对掺杂浓度为Na的p型半导体电中性条件 可得 得到 费米能级位置 例题分析 I： 求非本征半导体中热平衡状态下的费米能级 T=300K时，n型半导体中的载流子浓度为 本征载流子浓度为 说明：在n型半导体中，费米能级比本征费米能级高 例题分析 II： 求非本征半导体中热平衡状态下的费米能级 T=300K时，n型半导体中的载流子浓度为 本征载流子浓度为 说明：在p型半导体中，费米能级比本征费米能级低 说明：费米能级和掺杂浓度和温度有关 4. 6. 2 EF属于掺杂浓度和温度的变化 说明：系统达到热平衡状态时，两块材料费米能级相同 4. 6. 3 费米能级的应用 1. 计算硅在 T=200K，400K 和 600K EFi相对于禁带中央位置。 已知费米能级位于价带之上0.22ev，求T=300K 时硅的 n0 和 p0 第4章 平衡半导体 湖南大学信息科学与工程学院 hailuluo@hnu.edu.cn 罗 海 陆 微纳光电器件及应用教育部重点实验室 平衡半导体 热平衡状态是指没有外界影响（如电压、电场、磁场或者温度梯度）作用下的半导体 本征半导体是没有杂质原子和缺陷的纯净晶体 在半导体中有两种类型的载流子电荷：电子和空穴 半导体中的载流子 主要内容 掺杂原子与能级 非本征半导体 施主和受主的统计学分布 电中性状态 费米能级的位置 价带中空穴分布 导带中电子分布 4. 1. 1 电子和空穴的平衡分布 在整个价带能量范围内积分，可得价带中单位体积中的总空穴浓度 在整个导带能量范围内积分，可得价带中单位体积中的总电子浓度 电子和空穴浓度 说明：在本征半导体中，导带中的电子数目和价带中的空穴数量相等 电子和空穴的有效质量 有效状态密度 说明：T=300K时，有效状态密度数量级在10的19次方 本征半导体中 4. 1. 2 n 方程和 p 方程 例题分析 I： 求导带中某个状态被电子占据的概率，并计算T=300k 时硅中的热平衡电子浓度 设费米能级位于导带下方0.25ev处，T=300K时硅中有效导带状态密度值为 得到电子浓度为： 说明：某个能级被占据的概率非常小，但是因为有大量能级存在，存在大的电子浓度值是合理的。 例题分析 II： 计算T=400k 时硅中的热平衡电子浓度 设费米能级位于价带上方0.27ev处，T=300K时硅中有效价带状态密度值为 得到空穴浓度为： 说明：任意温度下的该参数值，都能利用T=300K 时 Nv 的取值及对应温度的依赖关系求出 例题分析 III： 计算 T=300k 时硅中的热平衡电子和空穴浓度 设费米能级位于导带下方0.22ev处，Eg=1.12ev 说明：此半导体为 n 型半导体 本征半导体中： 本征半导体中导带中的电子浓度值等于价带的空穴浓度值 说明：本征载流子浓度与费米能级无关 4. 1. 3 本征载流子浓度 计算 T=300K 时砷化镓中的本征载流子浓度，砷化镓禁带宽度为 1.42ev 例题分析 I 计算 T=450K 时砷化镓中的本征载流子浓度 例题分析 II 说明：当温度升高150摄氏度时，本征载流子浓度增大四个数量级以上。