第四章第三节副本精要.pptVIP

载流子在各种材料中的形式： （1）金属材料：自由电子，电子电导。 （2）高分子材料和无机非金属材料：可以是两类载流子同时存在。载流子为离子或空格点的电导为离子电导，载流子为电子或空穴的电导为电子电导。 本征电导：电子电导和空穴电导同时存在 杂质半导体的导电特性 杂质半导体与本征半导体的区别 　　不含杂质和缺陷的纯净半导体，其内部电子和空穴浓度相等，称为本征半导体。本征半导体不宜用于制作半导体器件，因其制成的器件性能很不稳定。反之，掺入一定量杂质的半导体称为杂质半导体或非本征半导体，这是实际用于制作半导体器件及集成电路的材料。 杂质半导体的分类 　　本征半导体的导电能力很弱，热稳定性也很差，因此，不宜直接用它制造半导体器件。半导体器件多数是用含有一定数量的某种杂质的半导体制成。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体分为N型半导体和P型半导体两种。 一、N型半导体　 在本征半导体硅（或锗）中掺入微量的5价元素，例如磷，则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子，占据晶格上的某些位置。 磷原子最外层有5个价电子，其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构，多余的1个价电子在共价键之外，只受到磷原子对它微弱的束缚，因此在室温下，即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子，游离于晶格之间。失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子。磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子，又称施主杂质。 　　在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子，而本征激发产生的空穴的数目不变。这样，在掺入磷的半导体中，自由电子的数目就远远超过了空穴数目，成为多数载流子（简称多子），空穴则为少数载流子（简称少子）。显然，参与导电的主要是电子，故这种半导体称为电子型半导体，简称N型半导体。 二、P型半导体　 在本征半导体硅（或锗）中，若掺入微量的3价元素，如硼，这时硼原子就取代了晶体中的少量硅原子，占 据晶格上的某些位置。 硼原子的3个价电子分别与其邻近的3个硅原子中的3个价电子组成完整的共价键，而与其相邻的另1个硅原子的共价键中则缺少1个电子，出现了1个空穴。这个空穴被附近硅原子中的价电子来填充后，使3价的硼原子获得了1个电子而变成负离子。同时，邻近共价键上出现1个空穴。由于硼原子起着接受电子的作用，故称为受主原子，又称受主杂质。 　　在本征半导体中每掺入1个硼原子就可以提供1个空穴，当掺入一定数量的硼原子时，就可以使半导体中空穴的数目远大于本征激发电子的数目，成为多数载流子，而电子则成为少数载流子。显然，参与导电的主要是空穴，故这种半导体称为空穴型半导体，简称P型半导体。 介电常数和绝缘性能之间没有必然的联系，介电常数主要体现的是介质在外电场作用下的极化能力，这主要与构成介质的微观粒子(原子，分子，电子)和介质的晶体结构有关系，而且会随外加电场的频率变化而发生变化，因为在不同的外加电场作用下，微观粒子的极化机理不同。 而介质的绝缘性能则受很多因素的影响，除了影响介电常数的因素以外，介质内部存在的缺陷对介质的绝缘性能有很大的影响，比如微气孔，微裂纹，材料的组成均匀性等等。因此，我个人觉得介电常数是反应介质本征特性的一个参数（当然有的人工制造的非均质材料略有不同），而介质的绝缘性能从一定程度上说不仅反应介质的本征特性，也会反映介质的非本征特性 高聚物的介电常数与结构的关系：　　（1）高聚物极性大小是介电常数的主要决定因素（非极性 2.0～2.3弱极性 2.3～3.0中极性 3.0～4.0强极性 4.0～7.0）　　（2）极性基团对高聚物的介电常数的贡献大小强烈决定于高聚物所处物理状态（玻璃化温度以上聚氯乙烯 从3.5增大到15，聚酰胺 从4.0增大到50。）　　（3）极性基团在分子链上的位置（主链上介电常数小侧链上介电常数大）　　（4）分子的对称性（对称性高介电常数小，对称性低介　　（5）交联、拉伸、支化（介电常数升高） 电介质在交变电场作用下,电能转变成热能而损耗 漏导电流\极化电流损耗 漏导电流：电介质中微量杂质而引起的。 极化电流：由于极化取向与外加电场有相位差而产生的。 介电常数?可用复数表示： ? = ?’ - i ?’’ 式中?’为与电容电流相关的介电常数，实数部分； ?’’与电阻电流相关的分量，虚数部分，表征极化响应的滞后。 2． dielectric loss. 介电损耗 电介质单位时间内引起的能量损耗，即引起电介质发热的能量， 称为电介质的损耗。它与应力松弛现象原理一致。 阳离子自由基的产生和移动 聚乙炔异构化产生孤子及移动 导电聚合物电导率与