晶体管混频器详解.ppt

五、小结（续） 继续 本页完 3、晶体管混频器的增益 1)直流通路分析 2)信号源等效电路分析 4、实际电路分析 1)混频器的变频跨导gc： 2)混频器的变频电压增益Avc Avc=Vi/Vs=gc/(goc+GL) 3)混频器的变频功率增益Apc ◆Apc的一般表达式: ◆Apc的最大值Apcmax： （当GL=goc时） Apcmax= ——— gc2 4gicgoc Apc= ———— gc2 (goc+GL)2 · —— GL gic =A2vc —— GL gic 3)本振耦合电路分析 4) LC选频回路分析 作业 继续 本页完 Page171 T4.30 已知：输入电导gic=0.1mS，输出电导goc=10uS。 再见 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 封面 返回 引言 本页完 引言 返回 晶体管混频器就是利用晶体管的非线性输入特性来进行频率变换的变频电路。  晶体管混频器的变频增益较高，因而在中短波接收机和测量仪器中广泛应用。 主页 晶体管混频器主页 1、四种晶体管混频器电路组态 2、晶体管混频原理 返回 3、晶体管混频器的增益 4、实际电路分析举例 本 节 学 习 要 点 和 要 求 一、四种晶体管混频器的电路组态 介绍共射混频组态电路优缺点 一、四种晶体管混频器的电路组态 晶体管混频器 (a)共发混频组态，信号电压和本振电压均由基极注入。 继续 本页完 (b)共发混频组态，信号电压由基极注入，本振电压由射极注入。 (c)共基混频组态，信号电压和本振电压均由射极注入。 (d)共基混频组态，信号电压由射极注入，本振电压由基极注入。 + vs - - + v0 vi (a) + vs - - + v0 vi (b) + vs - - + v0 vi (c) + vs - - + v0 vi (d) LC回路谐振在中频 一、四种晶体管混频器的电路组态 介绍共射混频组态电路优缺点 一、四种晶体管混频器的电路组态 晶体管混频器 (a)共发混频组态，信号电压和本振电压均由基极注入。 继续 本页完 (b)共发混频组态，信号电压由基极注入，本振电压由射极注入。 (a)电路对振荡电压v0来说输入阻抗较大，因此用作混频时，本地振荡比较容易起振，需要的本振注入功率也较小。但信号输入电路与振荡电路相互影响较大，产生牵引现象。 (b)信号输入电路和本振电路相互牵引干扰可能性小，对于本振电路来说是共基电路，输入阻抗小，不易过激励，振荡波形较好。但需要较大的本振注入功率。这种电路应用较多。 + vs - - + v0 vi (a) + vs - - + v0 vi (b) 介绍共基混频组态电路优缺点 一、四种晶体管混频器的电路组态 晶体管混频器 继续 本页完 (c)共基混频组态，信号电压和本振电压均由射极注入。 (d)共基混频组态，信号电压由射极注入，本振电压由基极注入。 + vs - - + v0 vi (c) + vs - - + v0 vi (d) (c) 和(d)电路在较低频率工作时，变频增益低，输入阻抗也较低，因此在频率较低时一般都不采用。但在较高的频率工作时（几十MHz），因为共基电路的fα比共发电路的fβ要大很多，所以变频增益较大。因此，在较高频率工作时也有采用这种电路的。 二、晶体管混频器的工作原理 二、晶体管混频器的工作原理 晶体管混频器 继续 本页完 变频电路工作在晶体管的非线性区，所以分析混频器工作时只取这一段曲线进行研究。 vBE iB O 晶体管输入特性曲线 因为有iC=βiB` 所以iC随vBE变化的曲线也与晶体管输入特性曲线形态相近。 iC iC随vBE变化的曲线称为转移特性曲线。 晶体管转移特性曲线 晶体管混频器的输入电压 二、晶体管混频器的工作原理 晶体管混频器 继续 本页完 变频电路工作在晶体管的非线性区，所以分析混频器工作时只取这一段曲线进行研究。 vBE O 晶体管转移特性曲线 iC 晶体管混频器在工作时，必须保证本机振荡频率v0远大于外来信号频率vs 。 把非线性段放大 变频器工作时，送至晶体管的输入电压为 vBE= VBB+v0+vS 静态工作点Q VBB Q 信号输入 本机振荡 中频输出 + vs - - + v0 vi 晶体管混频器的变频原理 二、晶体管混频器的工作原理 晶体管混频器 继续 本页完 vBE O 晶体管转移特性曲线 iC ic=b0+b1vBE+b2v2BE VBB Q 在vBE处利用泰勒级数展开可得这段转移特性曲线近似为抛物线 把vs=Vsm