晶体管及基本放大电路详解.ppt

第二章 晶体管及基本放大电路/2.3 动态分析/微变等效电路 第二章 晶体管及放大电路 基本内容 半导体晶体管 共射极基本放大电路 放大电路的基本分析方法 放大电路的频率特性 基本要求 1.理解并掌握晶体管的外部特性 （3个区）、判断晶体管的类型和极性。 2.掌握各种放大电路的特点和分析方法。 3.了解放大电路的频率特性。 2. 1 半导体晶体管 要求: 理解晶体管的放大原理 掌握晶体管的三个状态特点 掌握组成放大电路的外部条件 掌握晶体管的电流关系 一. 基本结构与分类 1. 内部结构 符号 2.分类 1）按材料分 2）按结构分 3）按频率分 4）按功率分 二 . 晶体管的连接方式 放大器一般为4端网络，根据公共端的不同，晶体管有三种连接方式 三. 晶体管的放大作用 （一）三个区的特点 1) 发射区是掺杂质比集电区掺杂多的 N型半导体，电子浓度很大； 2） 基区很薄，为掺杂质很少的 P 型半导体。 3） 集电极面积大，保证尽可能收集到发射区发射的电子。 （二）载流子运动规律及电流分配关系 当一个 NPN 型的晶体管接成共射极接法的放大电路时： 发射结正向偏置 集电结反向偏置 晶体管共射极接法的放大电路图 1. 载流子运动规律 (a) 载流子运动 (b) 电流分配 2. 电流关系 1）据KCL 定律有： 2）共射极晶体管的电流放大倍数： 四. 特性曲线 1. 输入特性曲线 集一射极电压 UCE 为常数时，输入电路(基极电路)中基极电流 IB 与基—射极电压UBE 之间的关系曲线，即 IB=f (UBE)| U CE=常数 2. 输出特性曲线 当基极电流 IB 为常数时，输出电路(集电极电路)中集电极电流 IC 与集一射极电压 UCE 之间的关系曲线，即 IC=f (UCE)| I B=常数 1）三个基本区 (1)放大区(UCE ＞UBE ≥ （0.7或0.3）) ; (2)截止区 ( IB ≤ 0 ，UBE ≤ 0 , UCE ＞ 0) ; (3)饱和区（ UCE ＜ UBE )。 4.晶体管输出回路电阻 a) 静态电阻 动态电阻 rceRCE 五.主要参数 1．电流放大系数 1）共射极直流电流放大系数β 在静态(无输入信号)时 称为共射极直流放大系数。 2）交流电流放大系数β 集电极电流的变化量△IC 与基极电流的变化量△IB 的比值。 在放大区工作时，常有 β≈ β 2 . 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时，晶体管的β值要下降。当β 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流 IC ，称为集电极最大允许电流 ICM 。 3．集—射极反向击穿电压 U(BR)CEO IB= 0时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集—射极反向。当晶体管的集—射极电压 U(BR)CEO 。 注：当UCE ＞ U(BR)CEO 时，晶体管会被击穿。 4．集电极最大允许功率损耗 PCM PCM允许在集电极上消耗功率的最大值。 六. 温度对参数的影响 一般温度对所有参数都影响，但影响最显著的是 ： 1. ICBO集电极与基极间的反向饱和电流 T ↑ (10°C ) → ICBO ↑ （约一倍）； 2. β ：T ↑(1°C ) → β↑( 1 % ); 3. UBE : T ↑ (1°C ) → UBE↑ ( 约2mV）。 2. 2 共射极基本放大电路 基本要求: 理解组成基本放大电路各元件的作用 掌握放大电路组成原则 掌握直流通路和交流通路的画法 一. 放大电路的组成 1. 各元件的作用 T : 放大元件，在线性区。 UCC :作为放大电路直流工作 电源：与RC一起保证集电结 反向偏置。 RB ：基极偏置电阻，与UCC共同提供适当的基极电流IB（偏流），以使放大电路获得合适的工作点。 C1、C2 ：用以耦合交流，隔断直流，通常称为耦合电容器。 RC ：为集电极负载电阻，将集电极电流的变化变换为电压UCE的变化，以实现电压放大。 例1： 在晶体管放大电路中，测的得3个晶体管的各级电位如图所示。试判断其极性（E 、B、C）和类型（NPN、PNP、硅、锗） 二. 直流通路和交流通路