西安交大模电功率放大器解读.ppt

9.3.1 双极型功率晶体管（BJT） 1. 功率管的选择 （1） PCM≥0.2Pom （2） |U(BR)CEO|2VCC （3） ICM＞VCC/RC 9.3 功率器件与散热 极限参数应满足(在互补推挽功率放大电路中) 2．二次击穿的影响 iC uCE 0 B A 二次击穿 一次击穿 S/B曲线 二次击穿现象 二次击穿临界曲线 iC uCE 0 1. V型NMOS管的结构 结构剖面图 9.3.2 功率MOSFET S 源极 G 栅极 金属 源极 S i O2 沟道 沟道 外延层 衬底 D 漏极 _ N + P P N N + N + 2. V型NMOS管的主要特点 （1）开关速度高 （2）驱动电流小 （3）过载能力强 （4）易于并联 9.3.3 绝缘栅双极型晶体管（IGBT） IGBT等效电路 D T1 G S R T2 IGBT电路符号 G S D T 绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的主要特点： （1）输入阻抗高 （2）工作速度快 （3）通态电阻低 （4）阻断电阻高 （5）承受电流大 兼顾了MOSFET和BJT的优点，成为当前功率半导体器件发展的重要方向。 外壳c 集电结j 散热器s R ( t h ) j c R ( t h ) c s R ( t h ) s a 环境a 9.3.4 功率器件的散热 晶体管的散热示意图 导电回路（电路） 散热回路（热路） 参 量 符 号 单 位 参 量 符 号 单位 电 压 U V 温 差 ΔT oC 电 流 I A 最大允许功耗 PCM W 电 阻 R Ω 热 阻 RT oC/W 功率器件的散热分析方法： 即用电路来模拟功率器件的散热回路 导电回路和散热回路参数对照表 电－热模拟法 Tj——集电结的结温 Tc ——功率管的壳温 Ts ——散热器温度 Ta ——环境温度 Rjc ——集电结到管壳的热阻 Rcs ——管壳至散热片的热阻 Rsa ——散热片至环境的热阻 散热等效热路 Tj Tc Ts Ta Rjc Rcs Rsa j c s a PCM 上页 下页 退出 模拟电子技术基础 9.1 功率放大电路的特点及分类 1．特点 （1）要有尽可能大的输出功率 （2）效率要高 （3）非线性失真要小 （4）要加装散热和保护装置 （5）要用图解法分析 9 功率放大电路 2．工作状态分类 (1) 甲类放大电路 根据晶体管的静态工作点的位置不同分： b. 能量转换效率低 特点： c. 放大管的导通角θ =2π 静态工作点位置 iC1 ICQ ωt ?=2? 0 2? ? 集电极电流波形 大 a. 静态功耗 uCE iC 0 QA (2) 乙类放大电路 b. 能量转换效率高 c. 输出失真大 特点： d. 放大管的导通角θ =π ωt iC2 π 2 π ? = π 0 3 π 集电极电流波形 a. 静态功耗 静态工作点位置 uCE iC 0 QA (3) 甲乙类放大电路 a. 静态功耗较小 b. 能量转换效率较高 c. 输出失真较大 特点： d. 放大管的导通角πθ 2π ωt iC3 π 2π 0 3π ICQ π ? 2π 集电极电流波形 静态工作点位置 uCE iC 0 QA 思 考 题 1. 功率放大器的作用是什么？对它有那些要求？它与电压放大电路有那些区别？ 2. 试说明甲类、乙类、甲乙类功率放大器的区别？ 9.2 互补推挽功率放大电路 电路特点： （1）晶体管T1、T2特性对称 （2）电源对称 （3） T1、T2射极输出 9.2.1 乙类互补推挽功率放大电路 RL T1 ui + _ +VCC _ iC1 iC2 iO T2 VCC uO + _ 1. 工作原理 a. 当ui =0 时 设ui=Uimsin? t T1、T2截止 UA =0 uO=0 静态功耗为零 RL T1 ui + _ +VCC _ iC1 iC2 iO T2 VCC uO + _ A b. ui 0 时 T1导通 T2截止 输入信号 输出信号 电流方向 uO≈ui + RL T1 ui + _ +VCC _ iC1 iC2 T2 VCC uO _ A c. ui 0 时 T2导通 T1截止 输入信号 输出信号 电流方向 uO≈ui RL T1 ui + _ +VCC _ T2 VCC uO + _ A 乙类互补推挽电路工作情况 T1通 T2通 Uopp=2(VCC – UCES) UOPP uCE 0 Q t iC 0 iC uCE 2. 主要指标计算 （1） 输出功率 当Uom达到最大值(VCC – UCES)时 设 RL T1 ui + _ +VCC _ iC1 iC2