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　回 顾 六、稳压二极管 作业 习题：15、16 * * * ? * 第一章 半导体器件 1.1 半导体基础知识 1.2 PN结 1.3 半导体三极管 1. 半导体中两种载流子 2.掺入杂质的半导体 N 型半导体 P 型半导体 3.PN结的形成及特性 五、 半导体二极管 在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。 按材料分 硅管 锗管 按结构分 点接触型 面接触型 按用途分 整流二极管 稳压二极管 光电二极管 检波二极管 1、分类 2、符号 + - 阳极 阴极 D P N 阳极 阴极 如果二极管极性接错，不仅造成电路无法正常工作，还会烧坏二极管及电路中其他元件。 PN结 阴极引线 铝合金小球 金锑合金 底座 N型硅 阳极引线 面接触型 引线 外壳 触丝 N型锗片 点接触型 点接触型：锗管---PN结面积小---电流小---高频性能好 面接触型：硅管---PN结面积大---电流大---用于整流 用于小电流的整流和检波、混频等。 3、二极管的特性 伏安特性 定义：二极管电流与电压之间的关系。 半导体二极管的伏安特性是非线性的。 击穿特性： 正向 特性 U I O A A B B 硅 锗 0.2 0.5 反向击穿区 死区（ OA 段） 反向特性： 硅管约 0.5 V 锗管约 0.2 V 正向导通区： 硅管约 0.7 V 锗管约0.3 V 0.3 0.7 截止区（ OB 段）I 近似为 0 反向截止区 反向击穿区 死区 正向导通区： 截止区 外加正向电压时，正向特性的起始部分，正向电流几乎为零。这一段称为 “死区”。对应于二极管开始导通时的外加电压称为 “死区电压”。 外加反向电压不超过一定范围时通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成的很小的反向电流，称为反向饱和电流或漏电流。该电流受温度影响很大。 外加反向电压超过某一数值时，反向电流会突然增大，这种现象称为击穿（击穿时，二极管失去单向导电性）。 对应的电压称为击穿电压。 在环境温度升高时，二极管的正向特性将左移，反向特性将下移。 二极管的特性对温度很敏感，具有负温度系数。 – 50 I / mA U / V 0.2 0.4 – 25 5 10 15 –0.01 –0.02 0 温度增加 二极管的温度特性 4、二极管的主要参数 （1） 最大整流电流IF： 二极管长时间使用时，允许流过的最大正向平均电流。 （2） 反向工作峰值电压UR : 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压。 （3） 反向峰值电流IR: 二极管上加反向工作峰值电压时的反向电流值。 （4） 最高工作频率fM: 二极管维持单向导电性的最高工作频率。 D导电性越好. 硅管优于锗管。 选用二极管的原则 (1) 要求导通后正向压降小的时候-----锗管 要求反向电流小时-----硅管 (2) 要求工作电流大时-----硅管（面接触型） 要求工作频率高时-----锗管（点接触型） (3) 要求反向击穿电压高时-----硅管 (4) 要求耐高温时-----硅管 5、二极管的命名方法 半导体器件的型号由五个部分组成： 如2AP9,“2”表示电极数为2, “A”表示N型锗材料, “P”表示小信号管, “9”表示序号 2： “A”：N型 锗材料 “B”: P型 锗材料 “C”: N型 硅材料 “D”: P型 硅材料 3： “P”：小信号管 “V”: 混频检波管 “W”: 稳压管 “Z”: 整流管 “K”: 开关管 6、二极管的应用 U I O 二极管相当于开关 导通 截止 (开关闭合) (开关断开) 硅管：UD0.7V 锗管：UD0.3V 硅管：UD0.5V 锗管：UD0.2V (1)理想二极管电路模型 UD≥0时 D导通---开关闭合----开关电压为0 UD0时 D截止---开关断开----漏电流为0 S U I O UD (2)考虑正向电压的二极管电路模型 相当于:一个理想开关串联一个电压源UD UD S U≥ UD时: D导通---S闭合----D端电压=正向电压U U UD时: D截止--- S断开 (3)限幅电路 + - ui E R + - uO E＝０V, 限幅电平为０V。 ui ＞０时 D导通, uo＝０V； ui＜０时 D截止, uo＝uｉ。 t ( a ) O t O ui uo U 当输入信号电压在一定范围内变化时, 输出电压随输入电压相