项目一 霍尔传感器1讲解.pptVIP

项目一 开关量检测 本项目首先 学习霍尔传感器 的工作原理、霍尔元件的主要技术指标、霍尔集成电路的特性、霍尔传感器在检测技术中的应用。 1.1 霍尔元件的结构及工作原理 1.1.1 霍尔效应: 霍尔发现，如果对位于磁场(B)中的导体施加一个电压(V)，该磁场的方向垂直于所施加电压的方向，那么则在既与磁场垂直又和所施加电流方向垂直的方向上会产生另一个电压(EH)，人们将这个电压叫做霍尔电压，产生这种现象被称为霍尔效应。 霍尔效应演示 当磁场垂直于薄片时，电子受到洛仑兹力的作用，向内侧偏移，在半导体薄片C、D方向的端面之间建立起霍尔电势EH。 1.1.2 霍尔传感器原理： 产生霍尔效应原因是根据电磁感应定律，电子在磁场中以速度v运动时，受到洛伦兹力fL； fL与电子的电菏量e、运动速度v及磁场强度B成正比； fL=evB；电荷在fL的作用下向一侧偏移，在半导体薄片C、D端面间形成感应电动势EH . 1.1.2 霍尔传感器原理： 感应电动势EH在半导体膜片上形成一电场，根据电磁感应定律，电荷在电场中要受到电场力fE ， fE 与电荷电量的多少、 EH大小及两电极间距有关。 fE =e