第二章晶体管祥解.pptVIP

[例题] 在图所示电路中, 已知VCC=12V, Rb1=5k?, Rb2= 15k?, Re=2.3k?, Rc=5.1k?, RL=5.1k?; 晶体管?=100, rbe=1.5k?, UBE=0.7V。 解： (2) 动态分析 + ui - T + uo - (接电容) Ce + T + ui - + uo - Rb1 Rb2 + - Rc RL + - [例题] 在图所示电路中, 已知VCC=12V, Rb1=5k?, Rb2= 15k?, Re=2.3k?, Rc=5.1k?, RL=5.1k?; 晶体管?=100, rbe=1.5k?, UBE=0.7V。 解： (2) 动态分析 (接电容) Rb1 Rb2 + - Rc RL + - [比较] + ui - T + uo - + ui - T + uo - Ce + [比较] + ui - T + uo - + ui - T + uo - Ce + 发射极电阻Re虽然降低了电压放 大倍数， 却提高了输入电阻。 发射极交流旁路电容 + ui - T + uo - Ce + 发射极电阻Re不影响放大电路的 输出电阻。 先突出主要矛盾，讲发射电子的运动及形成的电流；再讲少子的运动及对各极电流的影响。 三、直流负载线与交流负载线 放大电路在工作时， 输出端总要接上一定的负载； + ui - T Rb Rc VCC C1 + + uo - C2 + RL iC(mA) μ 20 4 3 2 1 2 4 6 8 10 12 uCE(V) 0 IB=40 A 60 80 100 直流 Q 动态时 交流通路 Rb Rc + uo - RL + ui - ic 交流负载电阻 负载线 的斜率 交流 t 交流 2.3.4 基本共射放大电路的图解分析方法 四、波形非线性失真的分析 o iB uBE Q uBE t o o iB t uCE o iC Q uCE t o 截止失真 增大基极电源Vcc 2.3.4 基本共射放大电路的图解分析方法 四、波形非线性失真的分析 o iB uBE Q uBE t o o iB t uCE o iC Q uCE t o 饱和失真 增大基极电阻Rb 减小集电极电阻Rc，以改变负载线斜率 更换β较小的管子 2.3.4 基本共射放大电路的图解分析方法 * 2.4.1 晶体管共射 h参数等效模型 2.4.2 共射放大电路动态参数的分析 2.4 放大电路的小信号模型分析法 晶体管电路分析的复杂性在于晶体管特性的非线性。 当放大电路的输入信号电压很小时， 可以把晶体管在小 范围内的特性曲线近似地用直线来代替。 o iB uBE Q uCE o iC Q 用线性电路来描述非线性特性， 建立线性模型。 2.4.1 晶体管共射 h参数等效模型 在共射接法放大电路中， 在低频小信号作用下， 将晶 体管看成一个线性二端口( 双口)网络， 利用网络的 h参 数来表示输入、输出端口的电压与电流的相互关系， 由 此得出的等效电路， 称为共射 h 参数等效模型。 ib ic + uce - + ube - b c e 双口 有源器件 i1 i2 + u2 - + u1 - 该模型是在小信号变化量作用下的等效电路， 只能用 于放大电路动态小信号参数的分析。 2.4.1 晶体管共射 h参数等效模型 1、 h 参数等效模型的由来 ib ic + uce - + ube - b c e 双口 有源器件 i1 i2 + u2 - + u1 - + ube - + uce - + - b c e 2.4.1 晶体管共射 h参数等效模型 + ube - + uce - + - b c e 2、 h 参数的物理意义 ① hie iB uBE o Q ?uBE ?iB 常数 小信号作用下b-e间的动态电阻： rbe 表示晶体管基极电压对基极电 流的控制关系。 rbe一般在1kΩ左右。 UCEQ Q点越高，rbe值越小。 2.4.1 晶体管共射 h参数等效模型 2、 h 参数的物理意义 + ube - + uce - + - b c e ② hfe uCE o iC Q ?iB ?iC 常数 表示晶体管在Q