DDR2内存技术研究分析.pptVIP

ODT:On-die termination 选择确定内部端接电阻值。 CK: 一对差分CLK信号。 CKE: CLK使能信号。 CS: 片选信号。 RAS: 行地址闸门信号。 CAS: 列地址闸门信号。 BA: Bank区选择信号。 A:地址 DQ:数据信号 DQS:数据闸门信号 1: CAS(Column Address Strobe) Latency：列地址选通脉冲延迟时间，即DDR－RAM内存接收到一条数据读取指令后要延迟多少个时钟周期才执行该指令。这个参数越小，内存的反应速度越快，可以设置为2.0、2.5、3.0。 2、Row－active delay（tRAS）：内存行地址选通延迟时间，供选择的数值有1～15，数值越大越慢。 3、RAS－to－CAS delay（tRCD）：从内存行地址转到列地址的延迟时间。即从DDR－RAM行地址选通脉冲(RAS，Row Address Strobe)信号转到列地址选通脉冲信号之间的延迟周期，也是从1～15可调节，越大越慢。 4、Row－precharge delay（tRP）：内存行地址选通脉冲信号预充电时间。调节在刷新DDR－RAM之前，行地址选通脉冲信号预充电所需要的时钟周期，从1～7可调，越大越慢。 5、OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的