材料科学基础ch晶体缺陷教案.pptVIP

(3) 相互平行的刃位错和螺位错间不发生交互作用,即交互作用力为0。 (4) 两个相互垂直的螺位错间的交互作用以及两个相互垂直的刃位错和螺位错间的交互作用比较复杂。 【请参考：冶金工业出版社,余永宁编《材料的结构》】 3.2.5 位错的生成和增殖 1. 位错的密度(dislocation density) 位错的密度： 表达式：ρ= l/v 或 ρ= n/A 单位:1/㎡ 2. 位错的生成 晶体中位错来源(位错源:source/origin of dislocation)主要有： (1)晶体生长过程中产生。 (2)晶体中过饱和空位的聚集。 (3)应力集中，产生局部区域滑移产生位错 3. 位错的增殖(dislocation multiplication) ： 位错的增殖模型： ①L型位错滑移增殖 ②F－R源增殖(图3.34) ③双交滑移增殖模型(图3.35) ④位错攀移增殖模型 L型位错及其滑移增殖： F－R源(Frank-Read source)及其增殖过程：如图3.34 位错线上的作用力：F=τb 运动过程：（a）→（b）→（c）→（d）→（e）→最后在 作用下,形成了一个闭合的位错环和位于环内与原位错AB完全相同的位错。然后在τ作用下又重复以前的运动过程,不断产生新的位错线使位错增殖。使AB发生作用的临界切应力 τc = Gb/L 4.位错的塞积和缠结 位错的塞积(dislocation pile-upgroup) ：在切应力作用下由同一个位错源放出的位错在障碍前受阻，这个源放出的位错在障碍前排列起来，这一位错组态称为位错的塞积。 位错的缠结(dislocation tangle) ： 透射电镜下看到的位错增值现象 3.2.6 实际晶体结构中的错位 1.实际晶体中位错的柏氏矢量 实际晶体中位错的柏氏矢量不是任意的，必须符合晶体的结构条件和能量条件 结构条件：柏氏矢量大小与方向，必须连接一个原子平衡位置到另一个原子平衡位置 能量条件：位错能量E∝b2 , 柏氏矢量越小越稳定 基本概念：单位位错 ( dislocation): 全位错(perfect dislocation): 不全位错(部分位错 partial dislocation) 2.???堆垛层错 正常堆垛顺序 fcc：ABCABC······ hcp：ABABAB······ 堆垛层错（stacking fault）：上述正常堆垛顺序遭到破坏或错排，有两类： （1）抽出型层错 （2）插入型层错 堆垛层错能： 为产生单位面积层错所需的能量。 3.不全位错 (1)Shockley不全位错(Shockiey partial dislocation): 柏氏矢量：b = a/6[1-21] 特点： (2)Frank不全位错(Frank partial dislocation): 负Frank不全位错—抽出型 正Frank不全位错—插入型 b = a/3111，纯刃型，柏氏矢量垂直于层错面 特点： 4.位错反应(dislocation reaction) ： 位错间的相互转化(合成或分解)过程。 位错反应满足条件： (1)几何条件 柏氏矢量守恒性 即： ∑bs = ∑bh (2)能量条件 反应过程能量降低 即：∑︱bs ︱2 ﹥ ∑ ︱ bh ︱ 2 5.fcc晶体中的位错 (1) Thompson四面体 如图3.42 ，利用Thompson四面体可确定fcc结构中的位错反应。 (2)扩展位错(extended/split dislocation)： 两个不全位错加上中间一片堆垛层错(stacking fault)区的组态。fcc中的扩展位错为两个Shockley不全位错加上中间的堆垛层错 扩展位错的宽度为 3.33式（P112） 扩展位错的束集：外力作用下收缩为原来全位错的过程。 扩展位错的交滑移：扩展位错 （原滑移面）→ 束集 → 全螺位错 → 转移分解 → 扩展位错（另一滑移面） (3)位错网络：实际晶体中存在几个b位错时会组成二维或三维的位错网络 (4)面角（Lomer－Cottr