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（18.2亿USD） GaN 发射光谱 YAG:Ce3+的激发光谱和发射光谱 450 575 ?/nm 500 400 450 450 二基色：蓝+黄＝ 白 Ce3+ GaN 白光的产生 其它有前景的白光LED荧光粉 LaSi3N5:Eu2+, O2-, Ba2Si5N8:Eu2+ NaM(WO4)2x(MoO4)x:Eu3+ (M=Gd, Y, Bi) BixLn1-xVO4:Eu3+/Sm3+ (Ln=Y, Gd) 基本原则：基质含VO4, WO4, MoO4 等或宽带发光颜色可变的离子：Bi3+, Eu2+，这些离子或酸根来吸收半导体芯片的发光而被激发，再结合其自己的发光或其它稀土离子的发光产生所需要的颜色。 * 稀土发光材料讲座－ 基本知识与最新进展 林君 中科院稀土化学与物理重点实验室 第二部分：稀土发光材料的新进展 2. 1 历史回顾 2. 2 上转换发光与量子剪裁 2. 3 PDP、FED发光材料 2. 4 白光LED用稀土发光材料 2. 5 稀土纳米发光材料 2. 6 软化学方法制备多种形态光学材料 2. 1 历史回顾 白光荧光粉 1938 1972 目前有重要应用价值的荧光粉 2. 1 上转换发光与量子剪裁 下转换发光－高能量激发产生低能量发射，遵循Stokes 定律