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Ir1 的平均值是输出电流Io,可得到 LLC的核心思想,是通过f(频率)实现稳压原理。请看下图 LLC的DC特性 谐振槽路各参数值 K值的取值范围一般为3-8 看变量 LLC输入阻抗特性 最小增益Gmin的求解 从图上我们可以看到,当负载增大时,Q值也增大,Q值曲线左移,Q值曲线与增益曲线相交点的频率是降低的。因此我们可以看到当负载增加的时候,LLC的工作频率是减小的。从物理意义上来讲,当负载阻抗Rac减小的时候,Lr与Cr构成的串联谐振回路上的阻抗也要减小,以维持Rac上得到的分压不变。只有通过降低频率才能使Lr和Cr构成的串联阻抗减小。因此,当负载加重时,LLC的开关频率是减小的;当负载减轻的时候,LLC的开关频率是增大的。 * 单击此处编辑母版文本样式 第二级 第三级 第四级 第五级 LLC原理与设计 2011-09-08 硬件部 要了解LLC,就要先了解软开关。对于普通的拓扑而言,在开关管开关时,MOSFET的D-S间的电压与电流产生交叠,因此产生开关损耗。如图所示 为了减小开关时的交叠,人们提出了零电流开关(ZCS)和零电压开关(ZVS)两种软开关的方法。对于ZCS:使开关管的电流在开通时保持在零,在关断前使电流降到零。对于ZVS:使开关管的电压在开通前降到零,在关断时保持为零。 导通过程中,大部分电流从MOSFET中流过,流过Coss的非常小,甚至可以忽略不计,因此Coss的充电速度非常慢,电流VDS上升的速率也非常慢。也可以这样理解:正是因为Coss的存在,在关断的过程中,由于电容电压不能突变,因此VDS的电压一直维持在较低的电压,可以认为是ZVS,即0电压关断,功率损耗很小。 同样的,在开通的过程中,由于Coss的存在,电容电压不能突变,因此VDS的电压一直维持在较高的电压,实际的功率损耗很大。 因为MOS在开关过程中,开通损耗占很大比例,相反IGBT关断时由于尾拖电流造成的损耗就要比开通过程的损耗大,所以IGBT如果满足ZCS, MOS满足ZVS,损耗就要小得多 。 最早的软开关技术是采用有损缓冲电路来实现。从能量的角度来看,它是将开关损耗转移到缓冲电路中消耗掉,从而改善开关管的工作条件。这种方法对变换器的效率没有提高,甚至会使效率降低。目前所研究的软开关技术不再采用有损缓冲电路,这种技术真正减小了开关损耗,而不是损耗的转移,这就是谐振技术。 谐振变换器主要由开关网络和谐振槽路组成,它使得流过开关管的电流变为正弦波而不是方波,然后设法使开关管在某一时刻导通,实现零电压或零电流开关。 之所以LLC谐振腔要呈感性,是因为需要电压超前电流,一旦呈感性,则谐振腔的电流在上管开通前的流通方向是负的,正是因为这个负电流,才能给上管放电、下管充电,使得上管MOS两端的电压为0,开通前为0了,那么开通时便实现了ZVS。如果呈容性,同理可知上管开通前,谐振腔电流方向为正,下管靠体二极管来续流,上管截止,当开通的时候,下管体二极管由于反向恢复时间的存在,有可能会使母线电压短路,从而炸管。 从其本质上看,LLC电路实际上就是有两个谐振点的串联谐振电路 对于谐振电路而言,要使其呈现感性状态,必须使外加激励的频率高于谐振频率。因此对于LLC,其最小开关频率不能低于fR2. 从开关频率与谐振频率的关系来看,LLC的工作状态分为fs=fR1, fsfR1,fR2fsfR1三种工作状态 。 首先我们来看一下当fs=fR1时的情况,此时LLC工作在完全谐振状态。下面是当fs=fR1时的工作波形 在t0时刻前。上管Q1关断,下管Q2导通。谐振电流通过Q2流通,变压器向副边传递能量,副边二极管D2导通向负载提供能量。变压器原边被副边电压箝位,激磁电流线性上升。 : 由于fs=fR1,在t1时刻正好完成半个周期的谐振,谐振电流与激磁电流刚好相等。变压器副边无电流,二极管D2自然关断,实现ZCS。在死区时间t0-t1时段内,激磁电流给Q1,Q2的结电容Coss1放电和Coss2充电,当Coss1两端的电压为0V时,Q1的体二极管导通,电流通过体二极管流通,在t1时刻让Q1导通,便可实现Q1的ZVS。 当Q1导通后,谐振电流通过Q1反向流通,谐振电流大于激磁电流,副边二极管D1导通向负载提供能量。 随着谐振电流逐渐增大,到t2时刻,谐振电流为正,顺向流过Q1,直至Q1关断。 t3-t4为死区时间,过程与t0-t1时
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