电工学-第8章直流稳压电源解决方案.ppt

大连理工大学电气工程系 * 8.5 滤 波 电 路 一、电容滤波电路 C ＋ ＋ uO － RL ＋ u2 － ＋ u1 － uO ωt O √2 U2 电容放电 当二极管导通时， 电容被充电储能。 当二极管截止时， 电容放电。 滤波电容的选择： C≥(3 ~ 5) T 2RL = 1.5~2.5 RLf 大连理工大学电气工程系 * UCN =√2 U2 输出电压的平均值: UO = 1.2 U2（全波） 空载输出直流电压: 滤波电容的耐压： UCN≥√2 U2 大连理工大学电气工程系 * [例8.5.1] 一桥式整流、电容滤波电路，已知电源频率 f = 50 Hz ，负载电阻 RL=100 ? ，输 出直流电压 UO = 30 V 。试求： (1) 选择整流二极管；(2) 选择滤波电容器；(3) 负载电阻 断路时的输出电压UO ；(4) 电容断路时的输出电压UO。 [解] (1) 选择整流二极管 IO= UO RL = A = 0.3 A 30 100 U2= UO 1.2 30 1.2 = 25 V = URm=? 2 U2 =? 2 ×25 V =35.4 V ID= IO = ×0.3 A = 0.15 A 1 2 1 2 大连理工大学电气工程系 * 查附录，选用 2CZ53B 4 个 （IF=300mA，UR=50V）。 (2) 选择滤波电容器 C≥ 1.5~2.5 RLf 1.5~2.5 100×50 = = (300~500)μF F UCN≥ =? 2 ×25 V =35.4 V ? 2 U2 (3) 负载电阻断路时 UO=? 2 U2 =? 2 ×25 V = 35.4 V (4) 电容断路时 UO = 0.9U2 = 0.9×25 V = 22.5 V IF≥2ID = 2×0.15A = 0.3 A， UR≥URm=34.5 V 电子技术 第7章 电气控制系统 电子技术 * 第 8 章 直流稳压电源 8.3 直流稳压电源的组成 8.5 滤波电路 8.6 稳压电路 8.4 整流电路 8.1 半导体的基础知识 8.2 半导体二极管 下一章 上一章 返回主页 * 8.1 半导体的基础知识 导体、半导体、绝缘体。 物质按导电能力划分： 半导体的导电性能： 常态下：接近于绝缘体 受热、光照、 掺杂等情况能增强导电能力、 一、本征半导体 1. 什么是本征半导体　　 是一种完全纯净的、结构完整的半导体晶体。 硅的二维晶格结构图 正离子芯 硅晶体的空间排列 硅和锗的原子结构简化模型 价电子 本征半导体——纯净的、结构完整的半导体。 由于随机热振动致使共价键被打破而产生空穴－电子对 本征激发——温度300K下，被束缚的价电子挣脱共价键的束缚，成为自由电子在晶体内运动。 空穴——当电子挣脱共价键的束缚成为自由电子后，共价键中留下的空位。 空穴的出现是半导体区别于导体的一个重要特点。 电子空穴对——在本征半导体中，自由电子和空穴总是成对出现的。 空穴的移动——空穴的运动是靠相邻共价键中的价电子依次充填空穴来实现的。空穴的移动方向和电子的移动方向是相反的。如图所示，若1处存在一个电子的空位，则电子由3→2 → 1，而空穴由1 → 2 → 3。 自由电子和空穴的浓度——本征半导体中的自由电子和空穴浓度总是相等的。即：ni=pi * 2. 本征半导体的导电特性 在绝对零度时，本征半导体中不含自由电子，不导电。 温度（或光照）? → 价电子获得能量→晶体中的共价键结构被打破，以一定的速率成对地产生自由电子和空穴： 本征激发产生自由电子和空穴对。 自由电子和空穴均参与导电， 统称为载流子(运载 电荷的粒子)。 温度? →载流子的浓度? →导电能力? 。 自由电子释放能量跳回共价键 —— 复合。 本征半导体载流子浓度较低，导电能力较弱。 * 二、杂质半导体 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会 使半导体的导电性能发生显著变化。 掺入五价的杂质元素 (2) 掺入三价的杂质元素 (1). N型半导体 因五价杂质原子中只有四个价电子能与周围四个半导体原子中的价电子形成共价键，而多余的一个价电子因无共价键束缚而很容易形成自由电子。 在N型半导体中自由电子是多数载流子