郑丽丽-晶体生长计算机仿真及优化.pptVIP

报告内容 HEM/DSS硅定向凝固简介 硅定向凝固的控制要求 界面控制凝固的可能方案 界面位置确定的简单方法 定向凝固炉的未来改进方向 结论与致谢 数值模拟：绝热筒位子的影响 能否更有效的控制DSS生长？ Bridgman-HEM计算区域及温场分布 Bridgman-HEM系统单晶放肩 Bridgman-HEM系统等径生长 HEM/DSS系统的差异 DSS壁面可能过冷、产生微晶 通过热场优化，可以节能并提高硅棒质量 提出Bridgman－HEM炉子设计 DSS固液界面控制方法 建立了温度和界面位置的理论关系 利用两温度测量值进行界面定位和控制 以下研究者参与或提供了部分报告中的内容 张辉教授（清华大学－原美国纽约州立大学） 魏久安（在读博士生，DSS分析和计算模拟） 王晨雷（美国SPI公司，DSS实验） 马远（浙江碧晶）、熊红兵（浙江大学）在Bridgman－HEM系统设计 吴蓓(BP Solar)、马蓉辉(美国马里兰大学）在HEM/DSS系统的差异 精工科技股份有限公司在定向凝固炉设计方面的技术支持 求职应注意的礼仪 求职时最礼貌的修饰是淡妆 面试时最关键的神情是郑重 无论站还是坐，不能摇动和抖动 对话时目光不能游弋不定 要控制小动作 不要为掩饰紧张情绪而散淡 最优雅的礼仪修养是体现自然 以一种修养面对两种结果 必须首先学会面对的一种结果----被拒绝 仍然感谢这次机会，因为被拒绝是面试后的两种结果之一。 被拒绝是招聘单位对我们综合考虑的结果，因为我们最关心的是自己什么地方与用人要求不一致，而不仅仅是面试中的表现。 不要欺骗自己，说“我本来就不想去”等等。 认真考虑是否有必要再做努力。 必须学会欣然面对的一种结果----被接纳 以具体的形式感谢招聘单位的接纳，如邮件、短信 考虑怎样使自己的知识能力更适应工作需要 把走进工作岗位当作职业生涯的重要的第一步，认真思考如何为以后的发展开好头。 Thank you 清华大学航空航天学院 lili.zheng@sunysb.edu 美国纽约州立大学石溪分校 郑丽丽 纽约州立大学石溪分校（七月底） 清华大学航空航天学院 （八月始） 2008年6月7日 晶体硅生长计算机仿真及优化 硅溶液温度由加热器控制，凝固过程及温度梯度由底部热交换器通过氩气流量控制。采用两个独立的控制过程，可以精确控制固液界面的位置及凝固速度。 热场优化设计可以使得加热及冷却过程中，边和角均匀受热或冷却。然而，生长单晶硅，需要很好的控制及很长的放肩时间，公司改为生产多晶硅腚。 石溪分校参与HEM晶体炉设计 研发历史：硅腚尺寸从单边33 cm 40 kg, 发展到 44 cm 80 kg, 55 cm 155 kg，69cm 240kg。之后GT Solar独立设计DSS 240（69cm 240－275kg，DSS 450（84cm，400－420kg） 石溪分校参与HEM晶体炉设计，但没有参予DSS晶体炉设计 HEM240与DSS240异同 HEM：坩锅与热交换器，及底部绝缘体都向下运动，导致热交换器向底部及侧面辐射冷却。坩锅与加热器相对位置变化。 DSS：侧面的绝缘体向上运动，而别的部分不动。导致热交换器向侧面辐射冷却。坩锅与加热器相对位置不变。 原理上：HEM像Bridgman方法，而DSS像VGF方法 HEM240与DSS240的计算模拟 详见：B. Wu, N. Stoddard, R.H. Ma, and R. Clark, Bulk Multicrystalline silicon Growth for photovoltaic (PV) application, Journal of Crystal Growth (2008) 吴蓓博士（BP Solar）和马蓉辉教授（UMBC）原是石溪分校张辉教授的学生 DSS中的温场 HEM中的温场 结构不同 HEM240与DSS240的计算模拟（续） DSS 结果 HEM 结果 优点：DSS系统径向温差小、应力小、缺陷密度低。 缺点：DSS壁面冷易产生微晶；同时杂质向中心汇集，夹杂物在中间部分形成的可能性大。 DSS壁面过冷情况可以通过热区设计改进 杂质及缺陷向外 详见：B. Wu, N. Stoddard, R.H. Ma, and R. Clark, Bulk Multicrystalline silicon Growth for photovoltaic (PV) application, Journal of Crystal Growth (2008) DSS HEM 从晶向预测界面 中心 中心 冷壁 详见：B. Wu, N. Stoddard, R.H. Ma, and R. Clark, Bulk Multicrystalline silico