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反向恢复时间一般在纳秒数量级。 1. BJT的三种工作状态 2. BJT开关的动态特性 1、二极管与门电路 2.2.3 TTL与非门的电压传输特性及抗干扰能力 1.74系列---标准TTL系列，属中速TTL器件，其平均传输延迟时间 约为10ns，平均功耗约为10mW／每门。 2.3.4 CMOS门电路的系列及主要参数 1、CMOS逻辑门电路的系列 2、CMOS逻辑门电路的主要参数 2.3.5 集成逻辑门电路的应用 3、抗干扰措施 1.在数字电路中，半导体二极管、三极管一般都工作在 开关状态，即工作于导通（饱和）和截止两个状态。 2．目前普遍使用的数字集成电路主要有两大类，分别是TTL集成电路和 MOS集成电路。 4．TTL集成逻辑门电路的输入级采用多发射极三级管、输出级采用达林顿结构，提高了门电路的开关速度和驱动能力。 5．在TTL系列中，还有集电极开路门和三态门，它们能够实现线与，还可用来驱动需要一定功率的负载。 6．MOS集成电路与TTL门电路相比，它的优点是功耗低，扇出数大(指带同类门负载)，噪声容限大，已成为数字集成电路的发展方向。 7．为了更好地使用数字集成芯片，应熟悉TTL和CMOS各个系列产品的外部电气特性及主要参数。 (1)多余输入端的处理措施 (2)去耦合电容 每个芯片加接0.1μF电容滤除开关噪声，同时将10--100μF的电容与直流电源并联，滤除不需要的频率成分 (3)接地及安装工艺 本章小结 4、具有图腾结构的几个TTL与非门输出端不能并联； 输出高电平UOH(3.6V)、输出低电平 UOL(0.3V)，关门电平UOFF(1V)，开门电 电平UON(1.4V)，输入高电平噪声容限UNL=UOFF－UIL，输入低电平电流IIL(1.4mA)，扇出系数NO(NO越大带负载能力越强)等。 使用TTL与非门芯片时需注意事项 1、不用的管脚 可以悬空，不可以接地； 2、不用的管脚可以接高电平，不可以接低电平； 5、输出端接容性负载时，应接大电阻(≥2.7K)限流； 3、几个输入端引脚可以并联连接； 6、TTL集成电路的电源电压应满足±5V要求，输入信号电平应在0~5V之间。 TTL与非门的主要参数？ 7、用45W以下电铬铁焊接，最好用中性焊剂，设备应良好接地。 2.3.1 COMS非门 2.3.2 2.3 MOS门电路 NMOS门电路 其他COMS逻辑门电路 COMS逻辑门电路的系列及技术参数 2.3.4 2.3.3 2.3.5 集成逻辑门电路及其应用 大规模集成芯片集成度高，所以要求体积小，而TTL系列不可能做得很小，但MOS管的结构和制造工艺对高密度制作较之TTL相对容易，下面我们介绍MOS器件。 与双极性电路比较，MOS管的优点是功耗低，可达0.01mw，缺点是开关速度稍低。在大规模的集成电路中，主要采用的CMOS电路。 2.3.1 NMOS非门 1、NMOS反相器---饱和型负载管反相器 Vi Vo T2 T1 +VDD 即：Vi为高电平时， Vo为低电平 Vi为低电平时， Vo为高电平 当输入电压为高电平时，T1导通 当输入电压为低电平时，T1截止T2还是导通 所以，是反相器 T1为工作管， T2为负载管 ≤ 1V Vo ? VDD－VT 3-10K 100-200K （低电平） 2、NMOS与非门 当A、B中有一个或两个均为低电平时，T1、T2有一个或两个都截止，输出为高电平 只有A、B全为高电平时，T1、T2均导通，输出为低电平 T1、T2为工作管， T3为负载管 B L T3 T2 +VDD A T1 L= AB 3、NMOS或非门 当A、B中有一个为高电平时，T1、 T2 有一个导通，输出0 A、B都为低电平时，T1、T2均截止， 输出为1 即 L= A+B T1、 T2为工作管， T3为负载管 因为T1、T2是并联的，要想增加输入端的个数时不会引起输出低电平的变化。这给制造多输入端的或非门带来方便。 L +VDD B T3 T2 A T1 V DD T P T N v O v I 2.3.2 CMOS非门 V DD T P T N v O v I 当vI = 0 V时 VDD 1、CMOS反相器的工作原理 VGSN =0 ＜ VTN TN管截止； |VGSP|=VDD＞VTP 电路中电流近似为零（忽略TN