光电子经典分析报告.ppt

PBG限制波导 PCS 特性 PCS 特性 PBG限制波导－微腔耦合 PC微腔复用/解复用器 PCS 应用研究进展 PC滤波器 PCS 应用研究进展 共面PC谐振腔 PCS 应用研究进展 1563 nm 1609 nm Lcavity=6?m, Q=400 微腔耦合波导激光器 ( CALTECH ) ( MIT ) PCS 应用研究进展 光子晶体微腔激光器 --HCL:H2O=4:1 wet chemical etch 4 1.2% Compressively Strained InGaAsP QWs Slab thichness: 10nm QWs separated by 23nm barriers Lattice constant: ? = 550nm, Radius of the holes: d=215nm Central defect cavity: 19 holes PMMA—Electron-beam lithography Cr-Cu layer—Ar+ ion beam etch SiN2 layer—CF4 reactive ion etch InP Substrate InGaAsP QWs region—ECR etch PCS 应用研究进展 光子晶体微腔激光器 PCS 应用研究进展 光子晶体微腔激光器 PCS 应用研究进展 光子晶体 （三维） 制备工艺 半导体光刻工艺 ? Waves of certain ? can not enter into or propagate through the materials. Model d W Si d d d d a y z (a) (b) (c) (d) (e) b Fabrication Example Si / SiO2 ?? gap= 14 % ? 0,center ? = 1.5 ?m 制备工艺 溶胶－凝胶（Sol-gel)法 Si Substrate Substrate 微球尺度 855nm?1.3％ － SiO2 - Opals ( 模板 ) 制备 T h 80oC 65oC 制备工艺 溶胶－凝胶（Sol-gel)法 －Si - inverted opals 制备 550oC Substrate Substrate Substrate LPCVD 制备工艺 (111) surface 2层 4层 16层 a. 透射谱：— 理论 — 实验 b. 理论计算的光子能带 空气球大小： (a, b): 1mm, (c, e): 670nm 制备工艺 (100) surface c. 理论计算的光子能带 b. 反射谱：— 841nm, — 1070nm 空气球大小： (d, f) : 855mm (c )(d) Patterned photonic crystals with high aspect ratios Doping and patterning Si photonic crystals (b) 在大面晶体中刻进100-?m 光子晶体环 (a) 在 Si 光子晶体中引入填隙缺陷 制备工艺 应用研究 量子信息处理 光电子学的未来 《光电子技术及应用》课程的讲义参考了： 姚敏玉教授的《激光原理》讲义 刘小明教授的《光电子技术基础》讲义 董毅副教授的《光通信》讲义 郑小平副教授的《光纤传感技术》讲义 感谢： 光电子学的未来 谢 谢 光子晶体特性 应用：－ 高速度、高选择性、高集成度的动态调控（如滤波 衰减、开关、分插/复用等） － 微腔波导激光器 3.PBG限制“微腔”间的耦合作用 － “微腔”间通过消逝场直接耦合或跳跃式耦合－微腔波导 光子晶体特性 － 空心波导(无介质损耗、无色散、无光学非线性〕 应用：－ 实现超高速、超长距离光通信 4.线缺陷的PBG限制导波作用 － 无全内反射机制(无辐射模)，可折弯成90o而无光损耗 应用：－ 解除了传统光集成回路尺度过大（毫米级）的理论 限制，实现大规模微米级光集成回路的梦想。 － 单模波导芯径可粗可细，光学非线性可弱可强 应用：－ 实现高效率、低能耗的全光型光学非线性功能器件 （四波混频