201409-晶硅太阳电池简介解析.pptVIP

电池片 电池组件 电站 光伏组件 光伏组件结构 三、晶硅太阳电池生产工艺 技术检测： 一次清洗 * 一次清洗主要的工艺监控量为腐蚀量，即制绒后的减薄量（0.41±0.05g）；制绒后扩散面的反射率（24%）两项数值。 电子天平，测量制绒前后硅片重量 分光光度计，测量制绒 前后扩散面的反射率 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 高温扩散炉 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 太阳能电池的心脏是一个PN结。p-n结是不能简单地用两块不同类型（P型和N型）的半导体接触在一起就能形成的。要制造一个PN结，必须使一块完整的半导体晶体的一部分是P型区域，另一部分是N型区域。也就是在晶体内部实现P型和N型半导体的接触。 扩散制结 扩散制结 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 POCl3是目前磷扩散用得较多的一种杂质源 无色透明液体，具有刺激性气味。如果纯度不高则呈红黄色。 比重为1.67，熔点2℃，沸点107℃，在潮湿空气中发烟。 POCl3很容易发生水解，POCl3极易挥发。 三、晶硅太阳电池生产工艺 * POCl3在高温下（600℃）分解生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷 (P2O5)，其反应式如下： 600℃ 5POCl3 → 3PCl5 + P2O5 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子， 其反应式如下： 2P2O5 + 5Si = 5SiO2 + 4P↓ 扩散制结 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 由上面反应式可以看出，POCl3热分解时，如果没有外来的氧（O2）参与， 其分解是不充分的，生成PCl5是不易分解的，并且对硅有腐蚀作用，破坏硅片 的表面状态。但在有外来O2存在的情况下，PCl5会进一步分解成P2O5并放出氯 气（Cl2），其反应式如下： 过量O2 4PCl5 +5O2 → 2P2O5 + 10Cl2 ↑ 生成的P2O5在扩散温度下与硅反应，生成二氧化硅（SiO2）和磷原子，由 此可见，在磷扩散时，为了促使POCl3充分的分解，避免PCl5对硅片表面的腐 蚀作用，必须在通氮气的同时通入一定流量的氧气。 总的反应式如下： 4PCl5 + 5O2 + 5Si → 5SiO2 + 4P ↓ + 10Cl2 ↑ 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 扩散步骤 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 扩散步骤 插片 用吸笔依次将硅片从花篮中取出，插入石英舟； 1）在扩散前禁止用手直接接触硅片，防止金属离子污染； 2）移动石英舟必须使用石英舟叉车。 进舟 将装满硅片的石英舟放在碳化硅浆上，启动程序，石英舟缓缓进入扩散炉腔；碳化硅浆退出，关闭炉门；通入大N2，升温。 回温氧化 打开O2阀门，通入O2。 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 扩散步骤 预沉积 通小N2、O2，小N2携POCl3源进入炉管内， POCl3高温分解，开始进行第一次低温扩散过程。 升温、沉积 升高温度，进行第二次高温扩散 推结 关闭小N2和继续通氧，扩散过程逐渐停止。 降温、出舟 继续通大N2，开始降温；当石英舟缓缓退出管内，炉门关闭，机械手自动将石英舟放到冷区，待降温一定时间后下舟，用石英舟叉车从舟托架上取下石英舟，放好插好硅片的石英舟，进行下一轮扩散。 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 扩散步骤 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 扩散工艺影响因素： N2流量 1）大N2：大N2可维持扩散炉管内的气流均匀性，大N2流量越大，管内气体流速越快，气体越均匀，扩散越均匀。 2）小N2：小N2流量决定进入石英管中磷源的量，流量越大磷源越多，会使掺杂浓度变大，方阻变小。 O2流量 在一定范围内增大O2流量有利于POCl3分解，扩散更充分。 三、晶硅太阳电池生产工艺 * 扩散制结 扩散工艺影响因素： 扩散时间 其他因素不变的情况下，扩散时间越长，扩散进行越充分，方阻越小。 扩散温度 温度影响结深，温度越高，p-n结越深，方阻越小。