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消费类电子常用图像传感器(CMOS Image Sensor)介绍 模块硬件部——杨红良 Image Sensor分类 CMOS Image Sensor介绍 消费类电子常用图像传感器(CMOS Image Sensor)介绍 1.1 成像原理:CCD,CMOS 1.2 像素范围:CIF,VGA,SXGA,UXGA,QXGA,…… 1.3 像面尺寸: 全画幅,APS-画幅,APS-C画幅,消费级画幅(2/3,1/1.8,1/2.5, 1/3,1/4,1/5,1/6,1/8,……) 1.4 封装工艺:LCC,CSP,COB 一 Image Sensor分类 CCD: Charge Couple Device 电荷耦合器件 CMOS: Complementary Metal-oxide Semiconductor 互补型金属氧化物半导体 1.1 CCD和CMOS CCD传感器中,每一行中每一个像素的电荷数据都会依次传送到下一个像素中,由最底端部分输出,再经由传感器边缘的放大器进行放大输出; CMOS传感器中,每个像素都会邻接一个放大器及A/D转换电路,用类似内存电路的方式将数据输出。 CCD CMOS CCD特点: 优点:灵敏度高,噪音小,信噪比大 缺点:生产工艺复杂、成本高、功耗高 CMOS特点: 优点:集成度高、功耗低(不到CCD的1/3)、成本低 缺点:噪音比较大、灵敏度较低、对光源要求高 CCD因为价格较高更多是应用在摄像、图象扫描方面的高端技术组件中(太空拍摄,航空拍摄,医疗成像,非接触测量)。 CMOS则大多应用在一些低端视频产品中(数码相机,便携摄像机,手机,网络摄像机,监控摄像机)。 CMOS和CCD应用 CIF:352*288(10万) VGA:640*480(30万) SVGA:800*600(48万) SXGA:1280*1024(1.3Mega) UXGA:1600*1200(2Mega) QXGA:2048*1536(3Mega) …… 1.2 Image sensor像素范围 全画幅: 传统的照相机胶卷尺寸为35mm,35mm胶卷的感光面积为36 x 24mm。换算到数码相机,被称为全画幅感光器。例如尼康的D3s,佳能的5D MarkII APS-画幅: 感光器面积为:27.9×18.6mm(28.7×19.1mm),例如:佳能的1D Mark IV APS-C画幅: 感光器面积为:23.6×15.8mm(22.5×15.0mm),例如:尼康的D90,佳能的500D 消费级画幅: 现在市面上的消费级数码相机主要有: 2/3“(8.8×6.6mm) 1/1.8”(7.718×5.319mm) 1/2.5“(5.38×4.39mm) 手机摄像头,网络/监控摄像头主要有: 1/3,1/4,1/5,1/6,1/8,…… 1.3 Image sensor像面尺寸 1-4 Image sensor封装工艺 LCC(leadless chip carrier)无引线芯片封装 指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装,也称为陶瓷QFN或QFN-C.电极触点中心距1.27mm。 CSP(chip scale package)芯片级封装 其封装尺寸和芯片核心尺寸基本相同,所以称为CSP,其内核面积与封装面积的比例约为1:1.1,凡是符合之一标准的封装都可以称之为CSP。 COB(chip on board)板上芯片封装,工艺过程首先是在基底表面用导热环氧树脂(一般用掺银颗粒的环氧树脂)覆盖硅片安放点,然后将硅片直接安放在基底表面,热处理至硅片牢固地固定在基底为止,随后再用丝焊的方法在硅片和基底之间直接建立电气连接。 二 CMOS Image sensor 介绍 2.1 CMOS Image sensor 2.2 DVP和MIPI传输方式介绍 2.3 CMOS Image Sensor发展 2.4 常用CMOS Sensor列表 CMOS图像传感器基本结构: CMOS图像传感器是一种典型的固体成像传感器,通常由像敏单元阵列、行驱动器、列驱动器、时序控制逻辑、AD转换器、数据总线输出接口、控制接口等几部分组成这几部分通常都被集成在同一块硅片上。其工作过程一般可分为复位、光电转换、A/D转换、读出等几部分。 2.1 CMOS Image Sensor 外部光线穿过lens后,经过color filter滤波后照射到sensor面上,sensor将照射到其上的光3-1 CMOSImage Sensor基本结构线转变成电信号,再通过DA转换成数字信号。此时即可输出,输出数据格
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