半导体传感器2014-4解析.pptVIP

二、磁敏三极管 1．磁敏三极管的结构 图4.38 NPN型磁敏三极管的结构和符号 a)结构 b)符号 r N+ N+ c e H- H+ P+ b c e b a） b） NPN型磁敏三极管是在弱P型近本征半导体上，用合金法或扩散法形成三个结——即发射结、基极结、集电结所形成的半导体元件，如图。在长基区的侧面制成一个复合速率很高的高复合区r。长基区分为输运基区和复合基区两部分。 i 输运基区 复合基区 2.磁敏三极管的工作原理 N+ N+ N+ c c c y y y e e e r r r x x x P+ P+ P+ b b b N+ N+ N+ （a） （b） （c） 图4.39 磁敏三极管工作原理示意图 (a)H=0; (b)H=H-;(c)H=H+ 1-输运基区；2-复合基区 1 2 IC Ie Ib Ib Ib IC IC I区 I区 I区 当不受磁场作用如图(a)时，由于磁敏三极管的基区宽度大于载流子有效扩散长度，因而从发射极注入的载流子除少部分输入到集电极c外，大部分通过e—i—b而形成基极电流，基极电流大于集电极电流。所以，电流放大系数β=Ic／Ib＜1。 当受到H-磁场作用如图（b）时，设基极电流不变，由于洛仑兹力作用，载流子向复合基区一侧偏转并大量复合，从而使集电极电流Ic明显下降。磁场越大，这种偏转越明显，集电极电