石墨烯太赫兹纳米器件综述教案解析.ppt

人工结构表面-双层直流连接 根据所描述的技术方法，石墨烯人工结构表面设计为一个频率选择性表面。这里使用的是双层石墨烯，中间为砷化镓介质层。性能对这层介质的依赖性很小。 石墨烯电导率的增加导致反射光谱上尖锐共振的发生。该石墨烯双周期层构成的可控超薄多带滤波器工作在红外频率下。空间色散的影响可以忽略不计。 两个谐振频率下的总电场幅度值（a）11.3THz（b）20.0THz。上部分是无偏置状态，下部分是电偏置石墨烯表面电场强度是E0=2.2V/nm。 等离子开关 等离子开关的应用原理是通过石墨烯电场效应选择性的实现启用或者禁止石墨烯条形波导的截面传播，从而实现良好的传输或者高阻态状态。等离子体的应用基于石墨烯表面等离子体激元的传播，即电磁波沿金属（或半导体）和电介质之间的界面传播。 石墨烯表面等离子体激元的优点有可调谐性，低损耗性和极端约束模式等。 在ON状态下，整个主机波导具有相同的传播特性，并且设备表现为从入射端到输出端传输等离激元的过程。在OFF状态，中央波导的导向性被修改为输入端口和输出端口之间的隔离状态。 建模 石墨烯是一种单原子厚的无带隙半导体，可由复杂的表面电导率来表征，此电导率可由Kubo公式来描述，并且主要取决于μc，它可以通过改变材料的初始掺杂或通过施加外部静电场来控制，其中Γ为光学散射率。 ] 其中ω是光角频率，ε是能量，T是温度，qe 是一个电子所带的电荷，h是普朗克常量，k是波尔兹曼常数，fd 是费米-狄拉克帆布函数。 石墨烯的一个主要优点就是，他的电动势能可以在一个宽范围（-1eV1eV）内通过直流施加横向电场来调节石墨烯的导电性。施加直流电压改变石墨烯载流子密度（ns）为： 表面等离子体激元（SPP）的特性取决于材料的导电性和对波导采用的类型。在理想2D石墨烯片的情况下，分散传播模式的关系： SPP的特性阻抗可以表示为： 通过调节可实现SPP的传播常数和特性阻抗的大范围的变化。 单层石墨烯上的SPP传播特性如图4.1所示： 结构图： 等效传输线模型： 原理：直流输入和输出电压被用来提供整个石墨烯波导的电动势，在这种状态下，该装置相当于一个简单的从输入端口到输出端口的传输线。这是ON状态。 在OFF状态下，输入电压被改变从而提供较低的位于开关中石墨烯的电动势，在这种状态下，在中间线上由于不同的特性阻抗和传播常数，使得波传播不能够连续传播。从而出现断开。 开关技术：装置ON和OFF状态截面图。不同掺杂（点虚线）对石墨烯的化学势（实线）的影响也如图所示。（a）均匀高度掺杂的石墨烯。通过施加负的直流偏置获得关闭状态。（b）非均匀掺杂石墨烯。外部和内部分别高掺杂和微掺杂。施加正直流偏置电压获得ON状态。 等离子可调谐天线 该天线通过施加偏压在石墨烯表面形成电场作用，可对σ大范围动态控制，等离激元的传播特性，特别是传播常数，可以被动态的调整，同时该方法允许高度小型化，并且与太赫兹波源能够实现良好直接的匹配。 当装置施加偏压时，一层中诱发出电子，另一层诱发出空穴，过量的载流子改变两贴片的化学势，从而控制其电导率和其等离激元传播常数，并且，对称的石墨烯能带结构，保证了上层和下层相同的电导率。天线模型使用HFSS来仿真，0eV-0.2eV的化学势范围下相应的输入阻抗如图： 观察到几个不同特性：第一，共振时输入阻抗实部很大，最高达到500欧母。 第二，共振频率可被控制在0.8THz-1.8THz。 (a)不同uc，共振时的辐射效率；(b)总辐射效率 （a）有和（b）没有硅透镜下天线归一化的指向性，证实了预期中方向性的增加。 总结：1、对于较大的μc，天线的谐振更强烈，辐射效率提高了。 2、金属共振可在窄频带中实现20%，但它们不能实现可重构，体积也要比石墨烯等离激元天线大20倍。 3、透镜对天线输入阻抗的影响可以忽略不计。 4、石墨烯表现出太赫兹等离子天线的很好的性质，简单的结构已经可以提供高输入阻抗方面的优异特性，频率可以重新配置，并且在调整模式下的阻抗是保持稳定的。 波导和移相器 （a）由异质结构MIM（金-空气-金）组成的电浆PPWG（b）GPPWG（c）不同厚度不同频率时厚度300nm的金波导的品质因数（FOM）（d）-（f）不同频率不同化学势时，厚度300nm的GPPWG的FOM,传播长度，归一化特性阻抗。 与传统金属波导的比较： 对于极薄单层石墨烯（约0.33nm），当频率高于0.5THz时，GPPWG表现出比传统MIM波导更大的FOM，即FOM=74.48，频率f=1.5THz，石墨烯化学势=0.5eV。300nm厚的金介质PPWG的FOM=11.78，与石墨烯相比很小。GPPWG