实际MOS晶体管的直流特性.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 沟道长度调制 当考虑有效沟道长度时，需要重新计算漏极电流ID。此外，由于漏端耗尽区的变化，漏源之间的电压降也需要重新计算，此时漏源之间的电压降就以VDSsat表示。 沟道长度调制 在Narain Arora的一篇论文：MOSFET Models for VLSI Circuit Simulation Theory and Practice中，提出了一种很好的△L解析式。他把饱和区部分沟道的载流子速度假定为与饱和速度大小相等，and to flow within the depth of the junction。根据这个模型，如果VDS≥VDSsat： 如果 VDSVDSsat，ΔL=0。 虽然在（4.4.1）中，LC和VE是具有物理意义的参数，但是在集约模型中仍把它们看做拟合参数。 源漏串联电阻 到目前的讨论为止，所考虑的都是本征晶体管，即：忽略了源漏扩散区的电压降。 实际情况中，对于长沟器件，与沟道电阻相比，可以将源漏寄生电阻忽略。但对于短沟器件，在强反型情况下源漏电阻必须考虑。线性区的本征特性是最需要被修正的情况，因为这时沟道电阻最小。饱和区时漏端电阻的影响最小，因为此时电流对漏端电压没有太大的依赖性。 Contents 速度饱和 沟道长度调制 源漏串联电阻 MOSFET * 有效迁移率 弹道输运 短沟和窄沟效应 饱和电荷与饱和电压 弹道输运 对于低电场，平均载流子速度与电场成线性关系，迁移率为比例系数。迁移率的值与库伦散射、声子散射和表面粗糙度有关。 对于高电场，载流子速度不再与电场成线性关系，而是在达到107cm/s时趋向于饱和，从而限制漏极电流的大小。 随着器件尺寸的缩小，当沟道长度远小于电子平均自由程时（对于硅器件来说，大约是100nm），有可能会出现载流子不发生散射而直接穿过沟道的情况。不发生散射时，从源端注入到沟道中的载流子的运动遵循弹道输运（不再是漂移扩散运动）。 弹道输运 为了研究MOSFET中的弹道行为，我们先假设载流子在沟道中没有散射——亦即所有载流子在到达漏端的过程中不会反向散射，并且忽略由漏端注入到沟道的载流子。因此饱和电流就可以写为： 其中，v(0)是沟道起始处载流子的平均速度。v(0)的最大值近似等于平衡条件下的单向热速度vT。室温下，当反型层密度较低时，vT ≈ 1.2x107 cm/s；反型层密度较高时，这个值会更大一些，从而导致速度大于漂移扩散输运时的饱和速度。 弹道输运 在实际器件中，考虑散射载流子的反向流动，将漏极电流写为： 其中，r为沟道反向散射系数。 当沟道中没有电场时，反向散射系数可由下式计算： 其中，L为沟道长度，λ为平均自由程。注：当沟道中存在y方向的电场时（4.6.3）需要被修正。 Contents 速度饱和 沟道长度调制 源漏串联电阻 MOSFET * 有效迁移率 弹道输运 短沟和窄沟效应 饱和电荷与饱和电压 概述 短沟和窄沟效应都是归因于二维边缘效应对Si表面空间电荷区总的体电荷的影响。 当沟道长度或宽度与耗尽层厚度可比拟或者小于耗尽层厚度时，短沟和窄沟效应变得重要。 通常，使用有效阈值电压替换阈值电压，以对短沟和窄沟效应进行建模，其中，有效阈值电压是沟道几何尺寸（长度和宽度）和偏压的函数。 在基于表面势的模型中，用有效栅压代替栅压，其效果类似于在基于阈值电压的模型中，用有效阈值代替阈值。 短沟效应 对于均匀衬底上制造的足够长和足够宽的NMOS器件，阈值电压的经典定义为： 其中，QB’是 时的耗尽电荷。 对于短沟器件来讲，VT0不同于长沟器件。 对于一个宽的短沟器件，QB’不仅与栅电极的电荷（符号相反）有关，而且与N+源漏区的电荷有关。这一效应将影响短沟MOS晶体管的性能。 短沟效应 对于NMOS晶体管来讲，被N+源漏区平衡掉的栅下耗尽电荷不仅与工艺参数有关，而且与晶体管尺寸和源漏电压有关。 短沟效应 为了将短沟效应包含到MOSFET模型中，通常采用的方法是用有效阈值电压来替代阈值电压。 在Yannis Tsividis和Narain Arora二人的两篇文献中，采用电荷分享的方法，将均匀掺杂衬底条件下短沟道MOSFET的有效阈值电压建模为： 在（4.7.2）中，下标sc和lc分别代表短沟道和长沟道，Fl（1）代表由栅极控制的耗尽电荷部分。 短沟效应 通过采用简单的几何结构和基本的物理规律，得到下面的式子: 其中，XJ为结深，X