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国家标准《串行NOR型快闪存储器接口规范》 (征求意见稿工作简况包括任务来源5年9月审核通过了《串行NOR型快闪存储器接口规范》标准项目立项申请,文件号:国标委综合[2015] 90号。项目计划编号T-339,项目名称:《串行NOR型快闪存储器接口规范》,计划完成年限2017年,主要起草单位:北京兆易创新科技股份有限公司Flash技术以及产品的开发,在细分领域不断推出最具全球竞争力的产品,目前已经成为SPI接口NOR型Flash领域的领先厂商之一,市场份额达到国内第一, 全球第三,客户包括Intel,Samsung,Toshiba,华为,联想,中兴等国内外大厂。
存储器,顾名思义其功能是储存信息。半导体存储器指的是固态的存储器,应用非常广泛,凡是需要存储信息的地方,比如手机、相机、电脑、机顶盒、电视、汽车等等,都需要存储器。存储器分为挥发存储器和非挥发存储器。所谓挥发存储器 是指掉电以后数据不能保存的存储器,例如SRAM和DRAM。所谓非挥发存储器,是指掉电以后数据仍然可以保存的存储器,例如下面提到的ROM,举个简单的例子,当手机没电之后所有的短信、电话、微信、qq信息都不会丢失,就是因为非挥发存储器在起作用。北京兆易创新科技股份有限公司提出的串行存储器接口要求针对的是就是非挥发存储器的最新主流产品。
闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器,数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位(其中,NOR Flash 为字节存储),区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器(EEPROM)的变种,与EEPROM不同的是,它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写,这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据,闪存通常被用来保存设置信息,如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。
现在市场上两种主要的非易失闪存技术分别为NOR Flash 和 NAND Flash。NOR的特点是芯片内执行,这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,主要应用在代码存储介质中。
主要工作过程内部参与单位间的电话邮件沟通,我们已有企业标准,范围、标准内容电子工业部标准化研究所标准编制原则和主要内容厂商
标准的主要内容与依据
本标准规定了串行存储器接口组织架构基于现有企业标准,又考虑到器件电路数字集成电路》包括封装形式,封装说明信号描述,接口类型,组织架构存储器组织架构包括。
电特性描述了存储器
对存储器常用指令进行了详细的说明定义。说明
参数说明对存储器中所有的参数定义做了详细说明。存储器的接口做了规定,对使用中电压等方面做了要求闪存存储器家族,了行业标准中存储器空白接口主要试验(或验证)情况分析领域已经做很好,庞大的客户群,对接口了解非常到位联合上下游企业,贯彻产、学、研、用思想,依托企业标准及的规定,充分讨论了接口要求,确保知识产权说明产业化情况、推广应用论证和预期达到的经济效果等情况于厂商来说,的同一种产品Flash生产厂商,主芯片厂商,以及最终系统厂商,保证这个新型存储器产业健康规范发展。
其他存储器类型国家已经制定了EPROM(GB/T 17574.9-2006)和EEPROM(GB/T 17574.11-2006)以及其他类型半导体存储器如DRAM(GB/T 17574.10-2003)国家标准,而串行NOR型快闪存储器的相应标准规划和制定目前还处于空白,我公司提出的《串行NOR型快闪存储器接口规范》要求刚好能填补这个空白,并和整个体系很好的补充。
采用国际标准和国外先进标准情况Flash类型都有事实上的国际行业标准,包括并行NOR Flash为第一大厂美国公司Spansion推动的CFI标准JESD68-01,SPI NOR Flash为排名前二的台湾厂商Winbond推动的SFDP标准JESD216。但只规定了数据结构,没有约束物理接口、指令定义、存储结构等。
本标准内容形式和格式是参考国外JEDEC标准内容形式一脉相承的接口规定,但是详细的标准内容的是根据兆易创新已有的企业标准,确定了标准的提纲。
与现行相关法律、法规、规章及相关标准的协调性重大分歧意见的处理经过和依据:
。
随着SPI NOR本身工艺特征尺寸的减少,SPI NOR在读写的过程中出现数据错误的几率也在增加,所以考虑加入ECC,但是NOR本身是以byte为单位访问的器件,但是合理的ECC是以128by
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