第三章 硅氧化.pptVIP

对于超薄热干氧化，G-D模型无法准确描述，实验表明在20 nm之内的热氧化生长速度和厚度比G-D模型大的多。 超薄热氧化的模拟 23nm D-G (τ= 0) D-G (τ= 40hr) Model of Massoud et al： C=C0exp(-EA/kT) C0?3.6×108 mm/hr EA ? 2.35 eV L ? 7 nm SUPREM IV使用模型 目前机理不明，仍无公认的模型来解决这个问题！ 三、影响氧化速率的因素 压强对氧化速率的影响 晶向对氧化速率的影响 掺杂对氧化速率的影响 掺氯对氧化速率的影响 实验表明：对于和H2O氧化，氧化硅生长速率正比于PG，而O2的氧化无法完全用线性关系描述。 在水汽氧化时： 在氧气氧化时： n?0.7~0.8。上标i表示1 atm下的相应值 压强对氧化速率的影响 如果要达到给定的氧化速率，增加气压，则氧化温度可以降低 如果在同样温度下生长一个给定的氧化层厚度，增加气压，则氧化时间可以减少。 晶向对氧化速率的影响 化学反应速率常数ks与晶向有关。因此线性速率常数B/A与晶向有关。在适当温度(111)晶向硅的B/A为(100)硅的1.68倍，（110）晶向为1.45倍的（100）晶向值。 抛物线速率常数B与晶向无关。 高温长时间氧化，抛物线速率常数B起主要作用，晶向影响减弱。 衬底取向对氧化速率影响的原因 B与晶向无关 （B/A)111= 1.68（B/A)100 ks0是常数，与单位晶面上能与氧化剂反应的硅价键数成正比。 （100）Si，in H2O at 900 ?C for 30 min 掺杂对氧化速率的影响 900 ?C时干氧氧化速率随表面磷浓度的变化。反应速率限制情况。 n＋：反应速率限制，B/A起主要作用，氧化速率取决于硅表面的掺杂浓度 掺氯对氧化速率的影响 掺氯能增大B/A和B。Si-O键能4.25 eV, Si-Cl键能0.5 eV, Cl2先与Si反应生成氯硅化合物，然后再与氧反应生成SiO2，起催化作用 Cl-还可以中和界面的电荷堆积,减少界面态, B B/A Dry O2 + 1-3% Cl; Cl is a metal getter ? cleaner oxide. 线性速率常数B/A 抛物线速率常数B 氧化气压（水汽氧化） 随氧气气压呈线性 随氧化气压呈线性 氧化气压（干氧化） 随氧气气压呈亚线性 随氧化气压呈线性 水汽氧化 和 干氧化对比 水汽氧化速率更大 水汽氧化速率更大 硅衬底取向 B/A(111):B/A(100)=1.68:1 和衬底取向无关 硅中掺杂类型和浓度 随掺杂浓度增加 关系不大 氧化气氛中掺氯 增加 增加 B/A 及 B 和 工 艺 参 数 的 关 系 本节课主要内容 压强、晶向、掺杂浓度、掺氯 压强越高，氧化速率越快。水汽氧化线形关系，干氧化指数关系。 （111）晶向氧化最快，（100）最慢。ks与硅价键密度有关。B不受晶向影响，厚氧化层，晶向作用下降。 20 nm以下的干氧化，D-G模型计算厚度远小于实际厚度。修正方法：附加一个随厚度增加而指数衰减项。 可以增加反应速度，减少界面固定电荷和界面态（电荷中和作用），可以实现对碱金属离子的吸杂作用 哪一种晶向的硅氧化速率最快，哪种最慢？为什么？ 影响氧化速率的因素有那些？ 氧化速率和压强有什么样的关系？ 对于非常薄的氧化层，应用Deal-Grove模型计算厚度和实际厚度有何不同？如何修正？ 掺氯氧化工艺对提高氧化膜质量有哪些作用？ 第二章 硅氧化 微电子技术工艺原理 微电子技术工艺原理 谢 生 天津大学电子信息工程学院 电子科学与技术系 Xie_sheng06@tju.edu.cn 第26教学楼D区431室 教学大纲 概述 第一章 晶体生长 第二章 硅氧化 第三章 扩散 第四章 离子注入 第五章 扩散淀积 第六章 外延 第八章 光刻 第九章 金属化 第十章 工艺集成 Contents Thermal oxidation process used to form Silicon dioxide (SiO2) Impurity redistribution during oxidation Material properties and thickness measurement techniques for SiO2 films Thin films used in fabrication of devices and ICs Thermal oxides