专用集成电路教学课件第三章祥解.ppt

3.4 MOSFET的电流电压特性 7.沟道尺寸W、L对阈值电压UTH的影响 √在短沟道MOS器件中，VTH与沟道尺寸W、L有较大的关系。其中VTH随着L的增大而增大，随W的增大而减小。 √温度对开启电压VTH也有较大的影响，在重掺杂的情况下，VTH的温度系数约为：-4mv/oC，轻掺杂的温度系数约为：-2mv/oC。 长沟道：L3~4um； 短沟道：L3um； 亚微米工艺：L或W1um的MOS管生产工艺 3.4 MOSFET的电流电压特性 8.MOS管的特征频率 MOS管的特征频率可由下式计算： 式中： μn为电子迁移率；L为沟导长度。 √可见，减小沟道长度L可以大幅度的提高MOS管的特征频率，从而提高器件的工作速度。 总结： 1、MOS场效应管的性能与沟道宽长比（W/L）有很强的依赖关系。 2、沟道长度L越小，fT及gm　越大，且集成度越高。因此减小器件尺寸有利于提高器件性能。 3、提高载流子迁移率μ有利于增大fT及gm，NMOS管的μn比PMOS管的μp大2～4 倍，所以NMOS管的性能优于PMOS管。 3.5 MOS管的Spice模型参数 SPICE是Simulation Program with ICEmphisis的缩写，是由美国加州大学伯克利分校于70年代开发的通用电路模拟程序。目前几乎所有的数模混合计算机仿真软件的内核都是Spice程序，了解Spice模型参数的含义对于正确设计模拟IC的意义重大。 Spice程序的模拟对象： √有源电路器件：二极管、双极性晶体管、结型FET和MOS FET等； √无源电路元件：电阻、电容、电感、互感和无损耗传输线等； √信号源：独立电压源、独立电流源、电压控制电流源、电压控制电压源、电流控制电流源和电流控制电压源等。 Spice程序的电路分析功能： √直流分析：直流工作点、传输函数、直流转移曲线、直流灵敏度； √交流小信号分析：频率特性、噪声特性和失真； √瞬态分析：傅里叶分析、蒙特卡罗分析、灵敏度分析和最坏情况分析等； 3.6 MOS管的小信号等效电路 低频小信号模型 同时考虑沟道调制效应和衬底调制效应的等效模型如下 栅跨导： 背栅跨导： 输出电阻： 注：γ为体效应系数 2|?F|为费米能级 λ为沟道调制系 3.6 MOS管的小信号等效电路 MOS管工作于高频状态下，电容效应就会显现出来。考虑了极间电容和寄生电容影响的高频小信号等效电路如下： NMOS管各电容的定义如下图： 高频小信号等效电路 第三章 MOS集成电路器件基础 3.1 MOSFET的结构与符号 1.NMOS管的简化结构 ??导电沟道（Channel）：栅极薄氧化层下的衬底表面 ??P型硅衬底（P-Substrate,Bulk or Body） ??源区和漏区（重掺杂区） ??栅极（重掺杂多晶硅区）/ 栅极薄氧化层+N 3.1 MOSFET的结构与符号 1.NMOS管的简化结构 ??Leff＝Ldrawn-2LD ??Leff—有效沟道长度，Ldrawn—沟道总长度 ??Leff和氧化层厚度tox对MOS电路的性能起着非常重要的作用。 MOS技术发展中的主要推动力就是不使器件的其他参数退化而一代一代的减小这两个尺寸。 3.1 MOSFET的结构与符号 2.衬底连接/互补CMOS ??为使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动，源区/漏区以及沟道和衬底之间必须形成反向偏置的PN结隔离。 ??在互补型CMOS中，在同一衬底上制作NMOS和PMOS，因此必须为PMOS做一个称之为“阱(Well)”的“局部衬底” 3.1 MOSFET的结构与符号 3.增强型和耗尽型MOS管 在栅-源极电压（栅偏置）为零时截止（即不导电）的器件称为增强型器件；而在栅偏置为零时就导通的器件称为耗尽型器件。 ??MOS管符号 3.2 MOSFET的物理结构 1.NMOS管的物理结构 实际中，源极和漏极之间加了一个正向电压，当栅偏压为零时，S-D之间没有电流，这是由于两个反向偏置的P-N结起了有效地隔离作用。如图所示。然而，在栅极加一个相对源极和衬底为正的电压时，就在衬底中产生一个电场E。该电场把电子吸向栅极，并排斥空穴。 如果栅压足够大，则栅极下的区域将从P型变为N型，在源、漏间形成一条导