第七章外延教案分析.ppt

7.6.2 层错法测量外延层厚度 7.6.3 图形漂移和畸变 原因：外延生长-腐蚀速率的各向异型； 漂移规律 ◆{111}面：严重；偏离2~5度，漂移显著减小，常用偏离3度。 ◆外延层越厚，偏移越大。 ◆温度越高，偏移越小。 ◆生长速率越小，偏移越小。 7.6.4 软误差 从封装材料中辐射出的α粒子进入衬底产生大量(约 106量级)电子-空穴对，在低掺杂MOS衬底中， 电子-空穴对可以扩散50μm， 易受电场作用进入有源区， 引起器件误动作，这就是软误差。 采用低阻衬底上外延高阻层的外延片， 则电子-空穴对先进入衬底低阻层， 其扩散长度仅1μm，易被复合， 它使软误差率减少到原来的1/10。 集成电路制造技术第七章 外延 西安电子科技大学 微电子学院 戴显英 2013年9月 本章主要内容 外延的基本概念与应用 硅气相外延的生长模型 影响外延生长速率的因素 外延层的掺杂分布 外延生长技术 外延层图形漂移 第七章 外延(Epitaxy) （外延）定义：在单晶衬底上，按衬底晶向生长一层新的 单晶薄膜的工艺技术。 外延层：衬底上新生长的单晶层。 外延片：生长了外延层的衬底。 应用 ①双极器件与电路： 轻掺杂的外延层--较高的击穿电压； 重掺杂的衬底降低集电区的串联电阻。 ②CMOS电路： a.避免了闩锁效应：降低漏电流； b.避免了硅层中SiOX的淀积； c.外延Si表面损伤小。 在双极晶体管（电路）中的应用 高阻的外延层可提高集电结的击穿电压 低阻的衬底（或埋层）可降低集电极的串联电阻 在CMOS器件（电路）中的应用 减小pnpn寄生闸流管效应 降低漏电流 外延的基本概念 外延的分类 ①按工艺分类： 气相外延（VPE）：硅的主要外延工艺； 液相外延（LPE）：Ⅲ-Ⅴ化合物的外延； 固相外延（SPE）：离子注入退火过程； 分子束外延（MBE，Molecular Beam Epitaxy） ②按材料分类 同质外延：外延层与衬底的材料相同，如 Si上外延Si，GaAs上外延GaAs； 异质外延：外延层与衬底的材料不相同，如 Si上外延SiGe或 SiGe上外延Si； 蓝宝石上外延Si--SOS(Silicon on Sapphire)； 蓝宝石上外延GaN、SiC。 ③按压力分类 常压外延：100kPa ； 低压（减压）外延：5-20kPa； 外延的基本概念 7.1 硅气相外延的基本原理 7.1.2 外延生长模型 生长步骤 ①传输：反应物从气相经边界层转移到Si表面； ②吸附：反应物吸附在Si表面； ③化学反应：在Si表面进行化学反应，得到Si及副产物 ④脱吸：副产物脱离吸附； ⑤逸出：脱吸的副产物从表面转移到气相，逸出反应室 ⑥加接：生成的Si原子加接到晶格点阵上； 生长特征：1）横向二维层层生长，如Si/Si同质外延； 2）三维岛状生长，如GaN/SiC异质外延 7.1.2 外延生长模型 A位吸附原子的几种可能性 ①原位不动：与其它吸附原子形成Si串或Si岛；最不稳定， 因而缺陷最多；易岛状（三维）模式生长。 ②迁移到B位：较稳定； ③迁移到C位-扭转位置：最稳定，不易迁移； 生长模型：依靠晶体表面台阶的二维横向生长 三维生长过程与形貌 GaN异质外延三维生长形貌 三维生长过程 单晶Si或多晶Si的生长速率与温度 温度T： T高，有利于单晶生长； T低，有利于多晶生长。 生长速率V： V高，有利于多晶生长； V低，有利于单晶生长。 高T、低V：易单晶生长 低T、高V：易多晶生长 7.1.3 化学反应—H2还原SiCl4体系 生长总反应：SiCl4 + 2H2＝Si(s)+4HCl(g) 气相中间反应：SiCl4 + H2＝SiHCl3+HCl SiCl4 + H2＝SiCl2+2HCl SiHCl3+ H2＝SiH2Cl2+HCl SiHCl3 ＝SiCl2+HCl SiH2Cl2＝SiCl2+H2 吸附生长：SiCl2(吸附)+ H2＝Si(s)+2HCl 或 SiCl2 (吸附)＝Si(s) + SiCl4