CMOS电路及工艺流程详解.ppt

CMOS电路分析及工艺流程 目录 1.前言 2.现代集成电路的发展 3.CMOS结构与工艺 4.CMOS电路分析 5.结 论 研究背景 近几年来, 随着通信、多媒体等市场需求增大, 对芯片的功能要求不断变化、增加, 促使芯片技术向着系统化、高速处理、多功能、低功耗方向发展; 另一方面随着集成电路工艺技术的飞速发展, 使芯片制造工艺和设计向着高集成化、微细化方向发展。 CMOS工艺也不断发展，在集成电路制造业中占有越来越重要的地位。 前言 1963年Sah和Wanlass首先发明了CMOS晶体管，即互补的MOSFET。第一块CMOS集成电路是在1966年制成的。但由于工艺的局限，早期的集成电路存在很多的问题。但是随着时间的推进，各种优化工艺不断出现，如浅槽隔离（STI）等优化了集成电路。 1985年---晕环（Halo）技术---广泛应用于超深亚微米MOS技术中 1987年---IBM研制成功0.1um MOSFET标志着当代超深亚微米MOS技术的基本成熟。 1987年Intel在386CPU中引入了1.2um CMOS技术，至此之后，CMOS技术占据了集成电路中的统治地位。 20世纪90年代以后还出现了化学机械抛光（CMP）、大马士革镶嵌工艺（Damascene）和铜互连技术，是当代CMOS工艺技术又前进了一大步。 2002 年半导体制造技术开始进入130 nm 时代, 超深亚微米 SOC 集成电路工艺技术突破。 2004 年，美国、日本、欧洲等国投资 90、65 nm CMOS 工艺生产。 CMOS集成电路发展基本遵循“摩尔定律”，即每18个月集成度增加一倍、器件特征尺寸缩小根2倍，性能价格比增加一倍。 现代集成电路的发展 集成电路的发展是从晶体管的诞生开始的，集成电路是微电子学的一个分支，20世纪初，有了最早的半导体检波器，具有二极管的单向导电性，也就开始了基于二极管PN结理论的晶体管到集成电路的发展之路。在1930年左右，人们制造出了在工业上得到广泛应用的用氧化铜做成的整流器，也就是二极管。随着无线电技术的发展，对具有二极管单向导电特性的检波器的要求也就越来越高，极大的推动了硅、锗半导体材料的制备和半导体理论的研究。1948年，世界上第一只锗点接触晶体管被肖克来发明；1949年，建立了PN结理论，1951年，用合金法制造出了结型晶体管。7年之后，美国的两位专家几乎同时发明了集成电路技术，从此之后，晶体管半导体有器件领域跨入了电路应用领域，微电子技术发展的到了集成电路时代。当中包含了许多晶体管与集成电路的发展里程。还有集成电路规模及制造工艺的发展。 多年来，IC的芯片晶体管规模一直在不断发展，同时也产生出多种晶体管类型，包括双极性和MOS型等，直至集成电路的存储器、处理器的出现和发展。 总之，自TI公司在1958年研制出世界上第一块集成电路以来，其集成度一直遵循着“每3年翻2番”的摩尔定律，通过器件的发明创造和工艺的不断改进提高，先后经历了SSI MSI LSI VLSI ULSI到今天的GLSI,集成电路技术涵盖了近半世纪以来人类在科学技术前言所取得的重要成就。 发展方向： 　　　由于科技的发展，为满足日益增大的信息处理能力的要求，主要两个方面可以努力改进，一个是实现图形最小尺寸的工艺精度，另一个是提高单位面积晶体管数目的集成度，当然，还要综合考虑电路功能以及工作频率和功耗的性能指标。 发展动力： 由于时代的不同，社会对于IC的需求也就不同。20世纪60年代，IC主要应用于军事，70年代，主要应用于大型计算机，80年代，主要应用于微型计算机，90年代，主要应用于PC/网络，到了21世纪，主要应用于数字电视、数码相机、数字摄录机、汽车电子、医疗电子等。这就是需求带动发展 发展趋势： 集成电路发展发展至今，已经进入了超深亚微米时代，体硅CMOS已经批量生产，采用的是90nm工艺、300nm晶圆；65nm工艺也将投入生产。集成电路发展遵循的是高频、高速、高集成度、多功能以及低功耗。 CMOS结构 集成电路加工的基本操作 图 硅片和芯片 光刻和刻蚀的原理 典型的CMOS结构 CMOS集成电路是利用NMOS和PMOS的互补性来改善电路的性能的，因此，它又叫做互补MOS集成电路。 MOS晶体管的平面图和剖面图 MOS