GaN基LED效率衰减问题地地研究报告.ppt

GaN基LED效率衰减问题研究报告 概要 1. LED发展趋势 2. LED效率衰减的原因 3. LED效率衰减的解决途径 4. 我们可以开展的工作 5. 结论 LED发展趋势 作为目前全球最受瞩目的新一代光源，LED因其高亮度；低热量；长寿命；可回收利用的优点，被称为21世纪最有发展前景的绿色照明光源。Ⅲ-Ⅴ族GaN基LED因发光波长涵盖了整个可见光波段，而备受关注。随着现有LED制造技术的成熟，LED向高亮度；大功率；低损耗方向发展，这就要求LED有大的注入电流，但GaN基LED随着注入电流的增加效率衰减是制约其发展的一个重要原因。更重要的是，对于其效率衰减的原因还没有一个明确的解释。 LED效率衰减原因 LED效率的衰减主要有两种情况，一：量子井中电子空穴复合但并未产生光子，即所谓的非辐射复合。二：电子空穴注入浓度不一，电子越过量子井而产生漏电流。上述两种情况都可导致LED效率的衰减，但是导致这两种情况发生的原因却有很多不同的说法。目前，主流说法包括俄歇复合1；极化效应2,3,4；位错密度5；大的空穴质量和低注入6,7,8（载流子均匀性）。 俄歇复合 俄歇复合：半导体中，载流子从高能级到低能级的跃迁，电子和空穴复合时把能量通过碰撞而转移给另一个电子或另一个空穴的复合过程叫俄歇复合。这是一种非辐射复合。这种复合不同于带间直接复合，也不同于通过复合中心的间接复合，俄歇复合是电子和空穴的直接复合而同时将能量交给另一个自由载流子的过程。 极化效应 极化分为自发极化和压电极化。在一定温度范围内，单位晶胞正负电荷中心不重合，形成偶极矩，这种无外电场作用下存在的极化现象成为自发极化。压电极化：在电介质的极化方向上施加电场，电介质变形并在电介质的两个相对表面产生正负相反的电荷。 位错影响 Martin F. Schubert 研究了位错密度对LED效率衰减的影响，通过对两组不同位错密度的样品的分析，他发现低位错密度的样品有一个明显的EQE峰，随后效率开始衰减，对于高位错密度的样品，EQE峰值降低，效率衰减也随之降低。这就说明，位错不是效率衰减的主要原因。 空穴的有效质量和注入效率的考虑 大的空穴有效质量，低的空穴迁移率使得空穴很难越过量子井势垒，进入其它量子井中，因此空穴主要存在于最接近P区的量子井中。电子阻挡层对空穴也有一定的阻挡作用，再加上低的P型参杂浓度，使得空穴的注入效率明显不如电子。 LED效率衰减解决途径 位错和异质结结温同样被视为LED效率衰减的可能原因，但随着LED制造技术的成熟，位错和结温可以通过一定的方式削减；降低，但是对于效率衰减的改善并不明显，因此在效率衰减的解决途径上我们主要考虑三点，一：抑制俄歇复合 二：削减极化 三：增加空穴的注入；改善空穴分布均匀性。 Y.F. Li 研究了井宽对LED效率衰减的影响，他发现随着井宽的变宽，LED效率峰向大电流方向移动，效率衰减明显改善。 通过变温PL谱我们得到相对内量子效率，我们发现相对内量子效率随着井宽的增加而下降，主要原因是，薄井中电子空穴波函数空间交叠，导致高的内量子效率，随着井宽的增加，内部极化增加导致电子空穴波函数分离，以致电子空穴空间分离，使辐射复合率下降。极化是靠载流子的注入来补偿的，一般情况下，对于宽井，内部极化很强，即使在200A/cm2的注入电流下，也会导致电子空穴的分离。虽然宽井能够改善LED的效率衰减，但并不能改善LED的效率，因此在LED产业上一般不采用这种方法，只有在实验室研究上才会使用。俄歇复合是LED效率衰减的一种可能原因，但是目前还没有实验能直接证明俄歇复合是效率衰减的主要原因，只能通过间接的实验证明，飞利浦公司也是如此。 削减极化（一） 采用非极性的衬底，S. C. Ling 研究了非极性的m 面蓝宝石和极性的c面蓝宝石上LED的效率衰减，他发现对于m面蓝宝石上的LED即使注入电流达到100A/cm2效率衰减仅13%，而对于c面蓝宝石上的LED效率衰减为峰值的50%。 极化削减（二） 晶格匹配的In0.18Al0.82N电子阻挡层。Suk Choi 研究了InAlN; AlGaN和无电子阻挡层对LED电致发光强度和效率衰减的影响。 极化削减（三） 极化匹配的GaInN/AlGaInN量子井LED。Martin F. Schubert 在这方面做了研究，他发现极化匹配的LED，光输出和效率衰减都得到了改善。 Min-Ho Kim也做了这方面的工作，他发现通过使用AlGaInN作为垒层，极化效应减小，效率衰减减小，LED效率得到改善。 极化削减（四） 极化匹配的InGaN/InGaN量子井LED。Jiuru Xu发现InGaN/InGaN量子井结构削减了有源区异质结表面大量极化电荷，增强了光输出，改善了效率衰减。 增加空穴的注入