结构陶瓷材料详解.ppt

第二章 结构陶瓷材料的结构与性能 第一节：陶瓷的微观结构 陶瓷的微观结构是指晶体结构类型、对称性、晶格常数、原子排列情况及晶格缺陷等，其研究分析手段有X射线衍射、电子衍射、场离子显微镜等。研究微观结构时需将样品放大数百万倍，分析精度可达数埃。 3、多晶材料核晶、結晶成長、某些晶粒受到鄰近相鄰的晶粒的阻礙 二、物质的结构： 原子外层的电子结构 原子的空间组合（晶体结构）、成键方式和晶体缺陷决定了材料的物理性能 三、原子结合和化学键 1、原子和分子结合 原子核和电子间的静电交换作用。 吸引作用：异性电荷间库仑力 泡里原则吸引力 排斥作用：同性电荷间库仑力 泡里原则排斥力 2、结合力 结合能晶体的能量比粒子处于自由状态时的能量总和。 晶体分离成自由原子所需要的能量 3、陶瓷晶体结合的基本类型 化学键类型是决定材料性能的主要依据 陶瓷晶体结合的基本类型 电子自旋平行： 原子相互排斥 电子自旋反平行：原子强烈相互吸引方向 饱和性：未配对电子 方向性：电子云密度最大方向成键 结合力很强，高硬度、高熔点、导电性能差；脆性，不能明显弯曲 电负性增大，离子键比率增加陶瓷材料中或主要以离子键、共价键为主，或是两种结合类型的综合或是处于两种之间的过渡 3、电负性：原子束缚电子的能力 二、陶瓷材料的显维结构 显维结构：在光学和电子显微镜下分辨出的试样中所含有相的种类及各相的数量、性状、大小、分布取向和它们相互之间的关系。 晶粒的取向；晶粒大小；晶相和玻璃相的存在与分布；气孔的尺寸、行状与分布；各种杂质、缺陷和微裂纹的形式和分布 1、晶粒 晶相是陶瓷的基本组成，晶相的性能往往表征材料的特性。 多组元陶瓷体系中的晶相往往不一定是都是构成体系组元的对应晶相，特别要注意化合物相的存在与性质 晶粒的形状与尺寸： 均匀晶粒显维结构 热膨胀或收缩时，大晶粒尺寸变化大，易在晶界处应力集中，萌发微裂纹。 成分、原材料颗粒大小、晶型与性状以及工艺制备方法 狭粒级原料、合适的第二相、均匀成形 晶粒的取向 性能各项异性 热锻或热压烧结工艺 低共熔固化 型板晶粒生长烧结工艺 2、晶界 晶粒小于2微米的陶瓷中，晶界的体积占一半以上。晶界厚度较大，一般有几个原子层到几百个原子层。一般可分为失配层和空间电荷层。 不规则过渡排列状态，晶界结构较疏松，有局部晶格畸变，原子能量比晶粒内部高，势能高且不规则，晶界上存在位错、空位等晶格缺陷和晶格畸变，常为杂质聚集场所，易形成微观界面应力。 （1）晶界偏析与杂质聚集 晶界结构比晶内松散，具有一定的表面效应，溶质原子处在晶内的能量比处在晶界的能量要高，所以溶质原子有自发向晶界偏聚的的趋势，这就会发生晶界偏析。 晶界扩散 沿多晶体晶粒界面发生的原子迁移过程。晶界处的原子排列不规则，原子密度较低，因而晶界扩散速度通常比晶粒内扩散要快，晶界构成扩散“短程通道” 。 陶瓷制备过程中的固相反应与烧结、晶粒生长、陶瓷的离子导电性能及老化过程 （2）晶界势垒和空间电荷 大量电荷为晶界区所俘获，形成高势垒（电容） 晶界势垒高度与陶瓷的晶格缺陷、杂质的种类与数量、气氛及烧成制度有关。 （3）位错汇集和应力集中 物理性能差异 通常，晶界处结构混乱，自由空间大，常呈黏弹性性质，低强度、低电导、低热导。 （4）晶界工程 晶界工程：通过控制晶界组成、结构和相态等来制造新型无机材料 通过晶界相与晶粒作用，使晶界消失；提高晶界玻璃相的黏度；晶界晶化提高高温强度 利用晶界偏析抑止晶粒长大，制备细致微晶结构，常用于制备透明陶瓷 利用晶界偏析，形成合适的偏析层。增强晶粒间结合力，有效阻止外力导致的裂纹扩展；微晶化，提高单位体积内的晶界面积，从而使单位面积的晶界应力减小 利用晶界扩散制备晶界层陶瓷电容器。 利用晶界势垒制备敏感功能陶瓷。 3、玻璃相 陶瓷原料中部分组成及其他杂质或添加物在烧成过程中形成的非晶态物质。 分别在晶相周围形成连续相，其结构是由离子多面体短程有序而长程无序所构成的三维网络结构。 （2） 弹性模量的影响因素 A 温度对弹性的影响 B 弹性模量与熔点的关系 C 弹性模量与材料致密度的关系 A 温度对弹性的影响 由于原子间距及结合力随温度的变化而变化，所以弹性模量对温度变化很敏感。当温度升高时，原子间距增大，由d0变为dt而dt处曲线的斜率变缓,即弹性模量降低。 温度对弹性模量的影响 B 弹性模量与熔点的关系 物质熔点的高低反映其原子间结合力的大小，一般来说，弹性模量与熔点成正比例关系。例如，在300K下，弹性模量E与熔点Tm之间满足如下关系