320×256中长波双色IRFPAs读出电路设计.pdfVIP

第44卷第10期 红外与激光工程 2015年10月 Vol.44No.10 InfraredandLaserEngineering Oct.2015 320伊256 中/长波双色 IRFPAs读出电路设计 1,2 1 1,2 1,2 1,2 周 杰 ，丁瑞军 ，翟永成 ，梁清华 ，蒋大钊 (1. 中国科学院上海技术物理研究所 中国科学院红外成像材料与器件重点实验室，上海 200083； 2. 中国科学院大学，北京 100049) 摘 要院 中波与长波探测器的光电流及动态输出阻抗存在数量级的差别。为满足积分时间及读出信 号信噪比的要求，采用像元间多电容共享的方案，设计了一种高集成度的320伊256双色红外焦平面读 出电路。该电路选用直接注入(DI)结构作为中波输入级，而长波输入级则选用了缓冲注入(BDI)结构。 其缓冲放大器采用单边结构，具有高增益、低功耗、低噪声的特点，降低了输入阻抗，提高了注入效 率。基于HHNEC 0.35滋m 2P4M标准CMOS工艺，完成了芯片的设计与制造。经测试，引入电容共享 - 方案后其有效电荷容量达到 70Me /像元，电路各项功能正常，在光照条件下，芯片呈现出高的灵敏 性。在2.5MHz读出速率下，中波及长波输出电压范围均大于2V，非线性小于1%。在 100f/s 帧频下， 整体功耗小于170mW。 关键词院双色红外焦平面； 读出电路； 电容共享； 缓冲注入； 电荷容量 中图分类号院TN215 文献标志码院A 文章编号院1007-2276(2015)10-2880-06 320 256 MW/ LW dual鄄color IRFPAs readout circuits 伊 1,2 1 1,2 1,2 1,2 Zhou Jie , Ding Ruijun, Zhai Yongcheng , Liang Qinghua , Jiang Dazhao (1. Key Laboratory of Infrared Imaging Materials and Detectors, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China; 2. University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China) Abstract: The photocurrent and dynamic output impedance of MW detectors differentiate from LW by several orders of magnitude. For the requirement in integrating time and readout SNR, a designing scheme of a highly integrated readout circuit for 320伊256 dual鄄color infrared focal plane arrays(IRFPAs) was proposed by adopting a sharing methods between pixel capacitors. In this circuit, t