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第 卷第 期 年 月
43 10 红外与激光工程 2014 10
Vol.43 No.10 Infrared and Laser Engineering Oct.2014
基于铟镓砷材料的新型太赫兹/ 亚毫米波探测器研究
童劲超 ,黄敬 国,黄 志明
( 中国科 学院上 海技 术物理研 究所 红外物理 国家重点 实验 室 ,上 海 200083)
摘 要: 对一种基 于生长在半绝缘 InP 衬底上 InGaAs 外延材料 的新型 太赫兹 室温探 测器进行研 究 。
首先在 HFSS 理论计算的基础上对 器件 天线 阻抗 、驻 波 比、辐射 方 向 图等特性参数进行分析 。 其 次 ,通
过光刻 、腐蚀 、溅射 、点焊等 工艺制作 出对称金属 电极 天线耦合 的太赫兹探 测 器件 。 结合 自己搭 建 的
0 .037 5 THz 器件响应 测试 系统 ,得 到铟镓砷 太赫兹探 测器件在 不 同偏置 电流和 不 同调制频 率 下的器
件响应 曲线 。 结果表 明器件具有 明显 的光 电信 号和快的响应速度 。 通过利 用高莱探 测器进行标定 ,得
到器件在 0.037 5 THz 时的 电压灵敏度优 于 6 V/W ,器件噪声等效功率 NEP 优 于 1.6×10-9 W/Hz1/ 2 ,器件
响应 时间优 于 300 滋s 。
关键词: 太赫兹 ; 室温 ; 铟镓砷 ; 探 测器 ; 天线计算
中图分类号: TN215 文献标志码: A 文章编号: 1007-2276(2014) 10-3347-05
New type terahertz/sub鄄millimeter wave detector
based on InGaAs layers
Tong Jinchao, Huang Jingguo, Huang Zhiming
(National Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences,
Shanghai 200083 , China)
Abstract : A brand new type of terahertz/ sub鄄millimeter wave detector based on InGaAs material grown
on semi鄄insulate InP substrate was proposed with an Metal鄄Semiconductor 鄄Metal (MSM) structure . High
Frequency Structural Simulator (HFSS) software was firstly used to characterize the metallic planar antenna
by calculating its resistance , standing鄄wave ratio (SWR),
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