β-FeSi-%2c2-%2fSi取向关系研析.pdf

塑墨一—— 摘 要 本论文中，我们利用0点阵晶界几何理论结合最小弹性应变能 准则研究了离子注入法制备的p—FeSi。半导体薄膜和si基体之问的 最佳界面和最佳取向关系。谗射电子显微镜(TEM)分析结果表明 膜基之间最常见的一种取向关系为(100)。／／(100)。。， [010]。／／fm1]…高分辨电镜分析结果表明在这种取向关系时(100)B 面与(100)。，面之问存在近40左右的夹角，0点阵理论计算结果证明 了夹角存在的必然性。理论计算和实验分析结果都表明在D—FeSi： 薄膜和si基体之间总是伺时存在多种取向关系，使得制备单晶B— FeSi：薄膜变得不可能。x射线分析结果表明在si基体上形成D—Fegi。 薄膜的过程中，p—FeSi。的品格常数会自发进行微量的调整，理论 计算结果表明这种微量调整有利于形成更稳定的界面。掺杂C离子 后，p—FeSi：单胞和si单胞中几乎所有的平面对都接近平行，它们 都有可能形成稳定的界面，这样就导致了最终无法测出确定的取向 ＼／ 关系，这与实验中观察到的结果完全一致。／ 关键词：0点阵 聂布帮磐变能准则；取向关系：p-FeSi。半导体 薄膜。 垒坠竺L——————————一 Abstract andtheminimum 0一Lattice theory The grainboundarygeometrical are inthis to the strain criterion investigate elastic energy applied paper Orientation the interfacebetween optimum optimum Relationship(OR)and films ion the by implantation 13-FeSi2 synthesized semiconducting TEM mostcommonOR andtheSisubstrate．After technique analysis，the with is slight deviations，which 1Jg angular is(100)口／／(100)s。【OlO]p／／【Ol calculationsand theoretical confirmedtheoreticalcalculations．Both by indicatethatmull—ORs coexistinthe