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基于功率MOSFET的“过”驱动技术研究 陈 静 周晓青 中国工程物理研究院电子工程研究所 四川 绵阳621900 摘要 为了提高功率MOSFET的开关速度，从功率MOSFET的开关基理加以分析，以仿真 实验与电路实验相结合的方法，研究出了功率MOSFET栅极的“过”驱动技术，大大的加快了功率 MOSFET的开关速度。 关键词 “过”驱动;功率MOSFET 138 基于功率MOSFET的“过”驱动技术研究 2．1功率MOSFET开关特性H1 结构及其等效电路。 功率MOSFET开关速度受其输入(栅)电容的充放电速度限制15l。分析中除了要考虑栅源电容 C帑外，由于栅电极与漂移区的交叠，显著的栅漏电容Cgd也必须考虑。由于Miller效应的作用，该 栅源电容被放大，其等效的输入栅电容为： CM=(1+g。RL)C畦 (1—1) …。 …。。、 一” 一 其中g。是跨导，RL是负载电阻。总输入电容为： ， ∥‘。 ·i≯ CiIl=Cg。+Cgd (1—2)——i。月“¨‘ ；三o…： 该结构的输入栅源电容包括： 图1 MosFET剖面与等效电路图 a．栅电极和源端n+区交叠形成的电容C叶； b．栅电极和P基区形成的电容C。； c．源金属电极与栅电极形成的电容C。。 开态时，由于漂移区表面积累层的缘故，栅源电容会随较高的栅源漏电压的变化而变化。当漏 端电压增加且器件承受高压时，栅源电容减小。由于Miller效应的放大作用，该电容将会大大减小 频率响应，所以，减小该电容是非常必要的。 由于功率MOSFET固有的高速开关能力，经常用作高频开关使用。当稳态电流IL流过时，其开 启时间由下式给出： t。n=若糯 (1．3) 其中，Vs是电源 值电压。该功率MOSFET的关断时间由下式给定： tofr=R。(Cp+Cgda)In☆+1) “圳 通过减小栅极的串连电阻Rg和漏源电容Cgd，可以得到较短的开关时间，并可以减小器件的功 率损耗。 3功率MOSFET“过”驱动电路设计 输 输 根据以上对功率MOSFET输入、输出特性的 入 出 分析，其驱动电路应满足以下要求： 脉 脉 冲 冲 (1)由于驱动电路与外电路之间往往没有 共地点，因此外电路与驱动电路之间要有电气隔 离。 图2 “过”驱动实验电路框图 (2)为了加快栅源电容的充电速度，使栅 叫川省l乜了学会曙光分会第}+六届学术年会论文集 I 39 极电压尽快上升，要求驱动电路是一个电压源，这样，驱动电路可以在尽可能短的时间内提供足够 人的驱动电流。 因此功率MOSFET的栅极驱动开关器件必须能够输出 瞬间人电流。而雪崩晶体管冈』：作在雪崩或二次击穿状态， 瞬间输出的脉冲峰值电流很大、幅度很高、晃动很小、开关 速度又很快，所以采用雪崩管米驱动功率MOSFET可以得 到很快的导通速度。实验中采取的是射极跟随和雪崩电路来 触发功率MOSFET，因而可以得到较快的前