第二章蒸发要点.ppt

电子束蒸发 电子束加热熔融坩埚中的金属，产生金属蒸汽等离子体； 蒸汽中的离子在低压下反应生成涂层； 施加正偏压时，电子束可以用来加热基板； 加负偏压时，电子束可以使氩气电离，增强对基板的溅射刻蚀； * 电子束蒸发特点 优点：基板性能得到提高；涂层致密无缺陷；涂层光亮，富有艺术性。 缺点：由于原材料熔融蒸发，因此源的位置只能在系统的底部。 * 电子束蒸发特点 为提高涂层的覆盖和厚度均匀性，设置较为复杂； 由于金属蒸汽的低电离度，需要额外工艺改善附着力； 涂层厚度和沉积时间受坩埚体积限制； 电子枪导致基板受热，因此需采用高温合金或碳化物； 涂层易受熔融材料的飞溅，影响表面特性； 受坩埚限制，仅限蒸发低熔点金属。 * 高频感应蒸发 原理：将镀料放在坩埚中，坩埚放在高频螺旋线圈的中央，使镀料在高频电磁场的感应下产生涡流损失和磁滞损失（对铁磁体）而升温蒸发。 * * 特点： 1）蒸发速率大，可比电阻蒸发源大10倍左右。 2）蒸发源的温度均匀稳定，不易产生飞溅现象。 3）镀料是金属时可自身产生热量，坩锅可选用与蒸发材料反应最小的材料。 缺点： 1）蒸发装置必须屏蔽，否则会对广播通讯产生影响。 2）线圈附近压强超过10-2Pa时，高频电场会使残余气体电离。 3）高频发生器昂贵。 * 瞬时蒸发法 又称“闪蒸法”，将细小的合金颗粒，逐次送到非常炽热的蒸发器中，使颗粒在瞬间完全蒸发。常用于合金中元素的蒸发速率相差很大的场合。 关键是选取粉末料的粒度，蒸发温度和进料的速率。钨丝锥形筐是作蒸发源的最好结构，若用蒸发舟或坩埚，未蒸发的粉末会残余下来成为普通蒸发。 * 有些化合物饱和蒸气压低，难于用电阻蒸发法。 原因： A）化合物的熔点较高，电阻加热温度不够。 B）许多化合物在高温下会分解，如Al2O3，TiO2等会失氧。 原理：将活性气体导入真空室，使之与被蒸发的金属原子，低价化合物分子在基板表面反应，形成所需化合物薄膜。 适用：高熔点化合物薄膜，易分解的化合物薄膜，如过渡金属与易解吸的O2，N2组成的化合物。 反应蒸发法 * 双源或多源蒸发法 将合金的每一成分，分别装入各自的蒸发源中，然后独立地控制各蒸发源的蒸发速率，以控制薄膜的组成。 为了使膜厚均匀，通常需要旋转。 实质上是双源蒸发法，分别控制两个蒸发源的温度及基板温度。 三温度法 * A）外延：是在适当的单晶基片上，沿基板晶轴的方向生长一层单晶薄膜的方法。 －－要求晶格匹配，对称性一致。 过去一般认为m≤7%时，可获得超晶格。但最近发现当薄膜非常薄时，晶格富于弹性，也可获得超晶格m=15%。应变超晶格。 －－同质外延，异质外延 分子束外延（MBE） * B）分子束外延的定义： 在超高真空下（～10-9－10-11Torr），将薄膜诸组分元素的分子束流，直接喷到衬底表面，从而在其上形成外延薄膜。 * C）分子束外延的特点 1）能够严格控制生长过程和生长速率 2）是超高真空的物理沉积过程，不需考虑输送过程及中间的反应，可用快门对生长和中断进行瞬时控制 3）MBE是个动力学过程，可生长在普通热平衡下难以生长的薄膜 4）MBE衬底温度低，降低了热膨胀引入晶格失配和衬底材料对外延层的自掺杂扩散影响 5）生长速率低，1个原子层/1秒，有利于精确控制膜厚，结构，成分，特别适用于生长超晶格材料 6）装有多种表面分析仪器，有利于科学研究 * 1．电弧蒸发法 在高真空下，将镀料做成两个棒状电极，通电使其发生电弧放电，使接触部分达到高温的蒸发 特点：可蒸发高熔点材料，克服了电阻加热可能存在的污染及反应，又比电子束蒸发便宜。 不足：适用于导电材料，蒸发速率难以控制，放电时飞溅的电极材料微粒会对膜层有影响。 其他蒸发方法 * 2．热壁法 1）蒸发在石英管中进行，通常石英管温度比基片高，使蒸发原子、分子通过石英管被导向基板，生成薄膜。 2）是个热平衡过程，可制备外延薄膜，但可控性、重复性差。 * 3．激光蒸发法 利用高能激光作为热源来蒸镀薄膜的方法。 激光有：CO2，红宝石，钕玻璃，Ar激光器。 优点： 1）加热温度高，可蒸发任何材料，蒸发速率也极高。 2）采用非接触式加热，避免了蒸发源的污染，非常适宜于制备高纯薄膜。 3）可使用脉冲激光器进行闪烁蒸发，有利于控制化学成分和防止分解；气化时间短，不易出现分馏现象。 缺点： 1）激光器昂贵，特别是大功率连续激光器； 2）蒸发温度太高，蒸发粒子易离化，对薄膜性能有影响。 3）膜厚控制难，且容易引起蒸发材料过热分解和喷溅。 * 金属：作为原子（或原子团簇）蒸发 化合物：绝大多数无机化合物以分子形式蒸发 薄膜的化学成分与源材料存在一定的差异 §2-4 E