通用变频器的使用与维护详解.ppt

3、驱动回路： 驱动电路作为逆变电路的一部分，对变频器的三相输出有着巨大的影响。驱动电路的设计一般有这样几种方式： (1)分立插脚式元件组成的驱动电路; (2)光耦驱动电路; (3)厚膜驱动电路; (4)专用集成块驱动电路等几种。 (1) 分立插脚式元件的驱动电路 分立插脚式元件组成的驱动电路在80年代的日本和台湾变频器上被广泛使用,主要包括日本(富士:G2,G5.三肯:SVS,SVF,MF.,春日,三菱Z系列K系列等)台湾(欧林,普传,台安.)等一系列变频器。随着大规模集成电路的发展及贴片工艺的出现,这类设计电路复杂，集成化程度低的驱动电路已逐渐被淘汰。 (2) 光耦驱动电路 光耦驱动电路是现代变频器设计时被广泛采用的一种驱动电路，由于线路简单，可靠性高，开关性能好，被欧美及日本的多家变频器厂商采用。由于驱动光耦的型号很多，所以选用的余地也很大。驱动光耦选用较多的主要由东芝的TLP系列，夏普的PC系列,惠普的HCPL系列等。以东芝TLP系列光耦为例。驱动IGBT模块主要采用的是TLP250，TLP251两个型号的驱动光耦。对于小电流,15A 左右的模块一般采用TLP251。外围再辅佐以驱动电源和限流电阻等就构成了最简单的驱动电路。而对于中等电流(50A)左右的模块一般采用TLP250型号的光耦。而对于更大电流的模块，在设计驱动电路时一般采取在光耦驱动后面再增加一级放大电路，达到安全驱动IGBT模块的目的。 (c) 厚膜驱动电路 厚膜驱动电路是在阻容元件和半导体技术的基础上发展起来的一种混合集成电路。它是利用厚膜技术在陶瓷基片上制作模式元件和连接导线，将驱动电路的各元件集成在一块陶瓷基片上，使之成为一个整体部件。使用驱动厚膜对于设计布线带来了很大的方便,提高了整机的可靠性和批量生产的一致性，同时也加强了技术的保密性。现在的驱动厚膜往往也集成了很多保护电路，检测电路。应该说驱动厚膜的技术含量也越来越高。 图12 部分光耦电路图 现在普遍使用的厚膜驱动电路主要有美国国际整流器公司的IR2110/2125/2132/2155等，富士EXB840/841，EXB850/851系列驱动厚膜。三菱的M57956L，M57959L等驱动厚膜。 EXB841和EXB851用于驱动600V/400A和1200V/300A以下IGBT模块。EXB840/841最大开关频率40KHz，信号延迟最大1 EXB850/851最大开关频率10KHz，信号延迟最大4 . 使用EXB系列厚膜驱动电路时，与IGBT的连接线用双绞线，长度不要超过1米。栅极电阻300A 3.3 ,200A 5 , 150A 8.2 200A 12 。 栅极电阻小，栅电容放电快，开关时间短，开关损耗低。但发生短路时或续流二极管管断期间，施加在集电极-栅极电容上的di/dt和dvdt可能引起IGBT的误导通，或在栅极驱动电路中产生震荡。此外，栅极电阻较小时，使IGBT开通di/dt变大，引起较高的dvdt，增加续流二极管恢复时间的浪涌电压；反之 图11 EXB841膜驱动电路内部电路原理图 工作原理： a). 正常开通过程： 当光耦二极管导通时，T2截止，D点高电平，T4导通，T5截止。 T1截止，电源经R3向C2充电，充电时间常数 过电流保护 B点电位上升，由零升到13V的时间为 由于IGBT已在1 导通，6脚电位箝制在8V，即C点电位8V。 b). 正常关断过程： 光耦截止，T2导通，T4截止，T5导通，IGBT栅极电荷经T5迅速放电， IGBT截止，加负5V使IGBT可靠截止。 c). 保护动作：正常导通时， C点电位8V，W2不被击穿，T3不导通，E点电位保持20V，二极管D1截止。若发生短路，二极管D2截止， C点电位开始上升；至13V时，W2击穿，T3导通，C4通过R7放电，E点电位逐渐下降，二极管D1导通， D点电位也逐渐下降，缓慢关断IGBT。 发生过流后的动作时间： C点电位由8V上升至13V的时间 E点由20V下降到3.6V的时间 式中: 这种状态直到控制信号使光耦截止， IGBT截止。T1导通使C2迅速放电，T3截止，20V电源通过R8对C4充电，时间常数为 则E点由3.6V充至19V的时间