第八图像信息的光电变换节.ppt

如果此时有光线入射（正面/背面）到硅片上，则在光子的作用下，半导体硅片上就形成电子和空穴，由此产生的光生电子(少数载流子)被附近的势阱所吸收(或称俘获)，而同时产生的空穴(多数载流子)则被电场排斥出耗尽区进入衬底，此时势阱内所吸收的光生电子数量与入射到势阱附近的光强成正比。人们称这样一个 MOS结构元为MOS光敏元，或称为一个像素，把一个势阱所收集的若干光生电荷称为一个电荷包。 MOS光敏元结构及其势阱 区别于热生载流子－暗电流 MOS光敏元结构及其势阱 因为每个CCD单元都是一个电容器，所以它能储存电荷。它们按线阵或面阵有规则地排列，且用同一半导体衬底制成，衬底上面覆盖一层氧化物，并在其上制作许多金属电极。如果在金属电极上施加一正电压，则在这半导体硅片上就形成几百个或几千个相互独立的势阱。如果照射在这些光敏元上的是一幅明暗起伏的图像，则在这些光敏元上就会感生出一幅与光照强度 相对应的光生电荷图像。即：电荷耦合器件的光电效应的基本原理。 2、读出移位寄存器（光敏单元中的电荷向移位寄存器转移） 移位寄存器由金属电极、氧化物介质及半导体组成，也是MOS结构，它不能使它受光照射，应防止外来光线的干扰。图2所示为以三相配线连接的读出移位寄存器的结构及控制时钟波形。 图 三相CCD读出寄存器结构与电荷转移的关系 a) 势阱耦合与电荷转移 b) 控制时钟波形图 解释： t=t1 t=t2 t=t3 t=t4 四个时刻的电荷转移过程。 现在来说明光敏单元中的电荷是怎样转移(读出)至移位寄存器的。如图，光敏区中产生的电荷，由转移门Z控制转移至a1、a2、----an极下的势阱。但如何解决光敏区中的光敏单元数与移位一致？ 假设光敏单元a1中的电荷已转移至a1极下的势阱。同理，光敏单元a1、a2…an中的电荷同时转移至 a1、a2…an极下的势阱。这是一个平行转移的过程。 此时转移电极Z上的电压恢复为零，相当于把光敏区和移位寄存器之间的“门”阻塞。光敏单元又重新进行光积累(光积分)， 移位寄存器a1、b1 、c1；a2、b2 、c2；---- an、bn 、cn等进行移位(电荷传输)，各自执行自己的任务。 上述光敏区中的电荷信号靠移 位寄存器传输给输出端读出， 故移位寄存器一般称它为读出寄 存器。 上述的电荷传输过程，实际上是一个电荷耦合的过程，因此把这类器件称为“电荷藕合器件”。在电荷藕合器件中担任电荷耦合传输的单元，称为“读出移位寄存器”。 从CCD工作原理可看出,这种器件具有存储、转移电荷和逐一读出信号电荷的功能，因此CCD器件是固体自扫描半导体摄像器件,有效地应用于图像传感器。 体内沟道（或埋沟道CCD） 即 BCCD（Bulk or Buried Channel CCD）——用离子注入方法改变转移沟道的结构，从而使势能极小值脱离界面而进入衬底内部，形成体内的转移沟道，避免了表面态的影响，使得该种器件的转移效率高达99.999％以上，工作频率可高达100MHz，且能做成大规模器件 表面沟道器件，即SCCD（Surface Channel CCD）——转移沟道在界面的CCD器件。工艺简单，动态范围大，但信号在转移过程中受到表面态的影响，使转移速率和效率降低，不宜制成长线阵和大面阵器件，工作频率一般在10MHz以下。转移效率高达99.99％ 4、电荷的注入和检测 Qin=ηqNeoAtc 式中：η为材料的量子效率；q为电子电荷量； Neo为入射光的光子流速率；A为光敏单元的受光面积；tc为光的注入时间。 3、CCD的电极结构 （1）光注入 1) 电流注入法 2) 电压注入法 如图8-21 （a）所示为电流注入法结构 如图8-21 （b）所示为电压注入法结构 （2 ） 电注入 (8-8) (8-9) 输出电流Id与注入到二极管中的电荷量QS的关系 Qs=Iddt (8-10) （3）电荷的检测(输出方式) 二、电荷耦合摄像器件工作原理 CCD的电荷存储、转移的概念 + 半导体的光电性质—— CCD摄像器件 按结构可分为线阵CCD和面阵CCD 按光谱可分为可见光CCD、红外CCD、X光CCD和紫外CCD 可见光CCD又可分为黑白CCD、彩色CCD和微光CCD （1）线阵CCD 线阵CCD可分为双沟道 传输与单沟道传输两种结构。 线型CCD图像传感器由一列 光敏元件与一列CCD并行且 对应的构成一个主体,在它们 之间设有一个转移控制栅。 双线结构CCD的转移寄存器按奇、偶序号分别排在光敏元件的