第七章 存储器、复杂可编程器件.ppt

存储器——用以存储二进制信息的器件。按集成度分，半导体存贮器属于大规模集成电路。 半导体存储器的分类： 根据使用功能的不同，半导体存储器可分为两大类： （1）随机存取存储器（RAM）也叫做读/写存储器。既能方便地读出所存数据，又能随时写入新的数据。RAM的缺点是数据易失，即一旦掉电，所存的数据全部丢失。 （2）只读存储器（ROM）。其内容只能读出不能写入。 存储的数据不会因断电而消失，即具有非易失性。 存储器的容量：存储器的容量=字长（n）×字数（m） （3）输入/输出控制电路 在系统中为了便于控制，电路中不仅有读/写控制信号R/W，还有片选控制信号CS。当片选信号有效时，芯片被选中，可进行读/写操作，否则芯片不工作。片选信号仅解决芯片是否工作问题，而芯片的读、写操作由读/写控制信号决定。 在半导体存贮器中采用了按地址存放数据的方法，只有那些被地址代码指定的存贮单元才能与输入/输出端接通，可以对这些被指定的单元进行读/写操作。而输入/输出端是公用的。为此存贮器的电路结构中必须包含地址译码器、存贮矩阵和输入/输出电路（或读/写控制电路）这三个组成部分。 2、RAM存储容量的扩展 在一片存贮器芯片的存贮容量不够用时，可以将多片存贮器芯片组合起来，构成一个更大容量的存贮器。当每片存贮器的字数够用而每个字的位数不够用时，应采用位扩展的联接方式；当每片的字数不够用而每个字的位数够用时，应采用字扩展的联接方式；当每片的字数和位数都不够用时，则需同时采用位扩展和字扩展的联接方式。 （1）字长（位数）的扩展 通常RAM芯片的字长多设计成1位、4位、8位等，当实际的存储器系统的字长超过RAM芯片的字长时，需要对RAM实行位扩展。 位扩展可以利用芯片的并联方式实现。连接的方法是将各片的地址线、读/写控制线（R/W）、片选线（CS）分别并联起来。如果每一片输出的数据是m位，则按上述方法用n片组合成的存贮器将有m×n位数据输出。 第七章作业:(p383) 7.1.1 7.1.3 7.2.2 7.2.4 本章作业做在书上 数 字 电 子 技 术 第八章 半导体存储器和可编程逻辑器件 第七章 存储器、 复杂可编程器件 7.0 概述（summary） 7.2 随机存取存储器（RAM） 7.3*可编程逻辑器件（PLD） 7.1 只读存储器（ROM） 基本要求 1、掌握RAM的电路结构、工作原理，了解静态RAM和动态RAM的存储原理、使用方法； 2、掌握各种ROM的工作原理和使用方法； 3、了解简单PLD的结构、编程原理，为以后学习复杂可编程逻辑器件打下基础。 7.0 概述（summary） 一、用SSI和MSI构成数字系统存在的问题 体积大 重量大 功耗高 成本高 可靠性差 二、LSI的现状和前景 目前，在单块硅片上集成十万个元件、器件的大规模集成电路已广泛应用到各种电子仪器和设备中。集成电路已进入超大规模和甚大规模阶段，如lattics公司的Flex10K10系列，等效门数为10000门，另外还有Flex10K100系列，等效门数为100000门。 近年来，随着电子设计自动化技术的发展，以及可编程逻辑器件的广泛应用，使电子电路设计方法和手段都得到了不断的改进和创新，也为大规模集成电路的应用开辟了新的途径。可以预见，大规模集成电路必将越来越广泛地应用于通信技术、计算机技术、自动控制技术等领域中，PLD的原理和应用是每个电子工程师必备的一门技术。大规模集成电路的制造技术和应用技术都得到了飞速发展，主要表现在以下几个方面。 （1）密度越来越高 单片密度已达十万、几十万、甚至几百万门，已进入超大规模和甚大规模阶段。 （2）用户可编程且拥有多种编程技术 （3）设计工具不断完善 现有的设计自动化软件即支持功能完善硬件描述语言如VHDL、Verilog等作为文本输入，又支持逻辑电路图、工作波形图等作为图形输入。 本章主要介绍半导体存贮器的分类方法、电路结构和工作原理，了解简单PLD的结构、编程原理。 存储器的基本概念 三、存储器（ memory ） 半导体存储器 RAM （读写存储器） ROM （只读存贮器） 静态RAM（SRAM）：数据由触发器记忆，只要不断电，数据能永久保存。 动态RAM（DRAM）：数据由MOS管栅极电容存贮，存贮单元有三管和单管两种。 固定ROM（掩模ROM） PROM（一次可编程） EPROM（光可擦除可编程） E2PROM（电可擦除可编程） 快闪存储器 可编程ROM 半导体存储器的