数字电路逻辑设计集成逻辑门解析.pptVIP

3.1.1晶体二极管开关特性 在数字电路中，二极管可构成与门和或门。 1. 电压传输特性 TTL与非门电压传输特性是指输出电压VO随输入电压VI的变化曲线。 2. CMOS传输门 CMOS传输门是由P沟道和N沟道增强型MOS管并联互补组成。 CMOS传输门的输出可以是模拟电路，它的主要用途是用作电子开关。 3. TTL与非门输出特性 TTL与非门的输出特性反映了输出电压vO和输出电流iO的关系。 （1）与非门处于开态时，负载电流为灌电流。输出低电平随灌电流增加而略有增大，如图（a）中0A段所示。输出电阻约在10 ~ 20Ω。 （2）与非门处于关态时，负载电流为拉电流。输出电阻为100Ω左右。当拉电流增加时，输出高电平将减小。 4. 平均延迟时间 晶体管作为开关应用时，存在着延迟时间td、存储时间ts、上升时间tr、下降时间t f。在集成门电路中由于晶体管开关时间的影响，使得输出和输入之间存在延迟。即存在导通延迟时间tPHL和截止延迟时间tPLH 。 平均延迟时间大小反映了TTL门的开关特性，主要说明TTL门的工作速度。 3.2.3 TTL OC门、三态输出门等 1.集电极开路的TTL与非门（OC门） 两个逻辑门输出端相连，可以实现两输出相与的功能，称为线与。为了使TTL门能够实现线与，把输出级改为集电极开路的结构，简称OC门。 集电极开路门常用于驱动高电压、大电流的负载。 3.2.3 TTL OC门、三态输出门等 2.三态输出门 三态输出门（简称三态门）是在普通门电路基础上，增加控制端和控制电路构成。 利用三态门可以实现总线结构。 如右上图，只要控制各个门的EN端，轮流定时地使各个EN端为1，并且在任何时刻只有一个EN端为1。这样就可以把各个门的输出信号轮流传输到总线上。 利用三态门还可以实现数据的双向传输。 如右下图，当三态使能端EN=1时，D0经门G1反相送到数据总线，门G2呈高阻态；当三态使能端EN=0时，数据总线中的DI由门G2反相后输出，而门G1呈高阻态。 4. 三态输出门 3.2.4 其它系列TTL门电路 前面分析的是CT 54/74系列的典型与非门电路，为了提高工作速度，降低功耗，在CT 54/74系列后又相继研制生产了CT 54H/74H系列、CT 54S/74S系列、CT 54LS/74LS系列。 例如：7400、74LS00、74H00、74S00 TTL系列器件主要性能比较 3.5 CMOS电路 CMOS集成电路是以增强型P沟通MOS管和增强型N沟道MOS管串联互补（反相器）和并联互补（传输门）为基本单元的组件，因此称为互补型MOS器件。 3.5.1 CMOS反相器工作原理 CMOS反相器由一个P沟通增强型MOS管和一个N沟道增强型MOS管串联组成。通常以P沟道管作为负载管，N沟道MOS管作为输入管。 当输入VI为低电平，如VI =0V时，输入管N管截止， 负载管P管导通，输出电平为高电平。 当输入VI为高电平，如VI =VDD时，输入管N管导通， 负载管P管截止，输出电平为低电平。 1. CMOS反相器的主要特性 （1） 静态功耗极低。 CMOS反相器在低频工作时，功耗是极小的，低功耗是CMOS的最大优点。 （2） 抗干扰能力较强。 低电平噪声容限和高电平噪声容限近似相等。而且随电源电压升高，抗干扰能力增加。 （3） 电源利用率高。 由于其阈值电压随VDD变化而变化，所以允许VDD可以在一个较宽的范围内变化。一般VDD允许范围为+3V ~ +18V。 （4） 输入阻抗高，带负载能力强。 3. CMOS逻辑门电路 目前国产CMOS逻辑门有CC 4000系列（相当于国际上CD 4000系列及MC 14000系列）、高速54HC/74HC系列（相当于国际上MC54HV/74HC）。 CMOS门性能比较 作业 P112 3-4 P114 3-11、 3-13 * Presented By Harry Mills / PRESENTATIONPRO Presented By Harry Mills / PRESENTATIONPRO * Presented By Harry Mills / PRESENTATIONPRO * * * * * * * * * * * * 第3章 集成逻辑门 主要内容 （1）晶体管开关特性及TTL逻辑门的基本工作原理。 （2）CMOS逻辑门的基本工作原理。 （3）各类门电路的外部电气特性：电压传输特性、输入输出特性、抗干扰特性、电源特性等。 （4）门电路的标准推拉输出、开路输出、三态输出的特点及用途。 （5）各类门电路性能比较。 重点 （1）晶体管开关特性。 （2）门电路的外部电气