第七章材料的磁性能-3技术报告.ppt

第七章 材料的磁性能 2009.06 每一个O2-两侧（上下左右前后）相距为a的Mn2+的磁矩都是反平行的 通过O2-形成90o，间距为 的Mn2+的磁矩可能是反向的也可能是同向的 决定离子磁矩相对取向的不是Mn2+和Mn2+间的直接交换作用，而是通过O2-所产生的一种间接交换作用。 处于基态时，Mn2+离子3d5亚层的5个电子自旋相同，而O2-离子2p6亚层的6个电子自旋两两相反。 O2-离子的外层电子是满的，它不可能与Mn2+的3d亚层产生交换作用；但Mn2+的3d亚层未满，O2-离子的2p电子有可能跑到Mn2+的3d层中，同时2p电子变成了3d电子，形成激发态。 激发态电子自旋磁矩与Mn2+的磁矩方向相反 O2-失去一个2p电子，变为O-，而成为一个具有一个电子自旋磁矩的磁性离子 O-的磁矩方向和激发到3d态电子的自旋磁矩方向反向平行（一级激发态的电子只改变位置而不改变方向） Mn+的3d6的电子自旋方向为↑↓↑↑↑↑，而O-的2p5的电子自旋方向为↑↓↑↓↑，Mn+和O-的磁矩方向相同。 而O-是磁性离子，它与邻近的磁性离子Mn2+发生交换作用，并确定它和这些近邻的Mn2+磁矩的相对取向，再间接地确定各Mn2+之间的磁矩相对取向。 P态电子云的角分布是哑铃状的，O2-的电子云只与其两侧成一直线的两个Mn2+的电子云有重叠。 当O2-中的一个2p电子跑到左边的Mn2+的3d层中后，O-就要和右边的Mn2+产生较强的交换作用，而在垂直于哑铃方向的交换作用很弱(?)。 哑铃状的电子是磁量子数ml相同而自旋方向相反的两个电子。 O-与右边Mn2+的交换积分A是负的，因而和右边的Mn2+的磁矩方向必定反平行。 在O2-两侧成一直线上的两个Mn2+的磁矩必然反平行 这种通过氧离子而确定锰离子磁矩相对取向的交换作用为间接交换作用或超交换作用，这种交换作用使得MnO中的Mn2+磁矩，一半向着一个方向，另一半向着相反的方向，而总的磁矩为零，因此MnO是反铁磁性的。 A位置或B位置的金属离子间都要通过O2-发生间接交换作用。 A和B位置上离子的磁矩是反铁磁性的，在铁氧体中往往是A、B两个位置上的磁矩不等，因而出现了亚铁磁性。 在实际使用中单铁氧体在磁性上不能满足要求，人们根据实际需要将两种或两种以上的单铁氧体按一定比例制备成多元系铁氧体，称为复合铁氧体。 铁氧体材料的特点是电阻率特别高（比金属磁性材料的电阻率高100万倍），在高频和超高频技术中应用有很大的优势 原材料来源丰富，成本低 居里点偏低，温度稳定性差，MS也较低，在低频和高功率下一般还是用金属磁性材料。 不同晶向磁化难易程度不同，其对应的磁化功也有差异 立方晶体沿uvw方向磁化和沿001方向磁化功的差EK=Wuvw-W001称为磁晶各向异性能。 磁晶各向异性能是磁化方向或磁化强度方向的函数。 磁晶各向异性的起源 用自旋-轨道相互作用解释 与晶格场对电子轨道的束缚作用有关。 一方面电子轨道磁矩产生的磁场对电子自旋运动作用，使轨道和自旋间存在耦合作用 另一方面电子轨道平面受晶格场作用能量间并被消除 两方面作用的叠加使得原子磁矩倾向于在晶体的某些方向上能量低而在另一些方向上能量高 原子磁矩能量低的方向为易磁化方向，而能量高的方向为难磁化方向。 在无外磁场作用的平衡状态下，原子磁矩倾向于排列在易磁化方向上。 图(d)是能量最低的，而实际方块形的立方单晶铁存在的畴结构也与图d相同，说明方块形单晶铁中封闭畴结构比片状畴结构能量更低，但是具体封闭畴的数目需计算。 实际材料中的畴结构，还受到材料的尺寸、晶界、应力、掺杂和缺陷等的影响，因此实际材料中的畴结构相当复杂。 为减少退磁能，在掺杂物附近出现三角畴或钉状畴。 在多晶体中，畴壁一般不能穿过晶粒边界。 铁磁体的块度对磁畴结构也有很大影响 如果材料的线度非常小，以至材料形成单畴时的退磁能小于形成多畴时的畴壁能，磁性材料就以单畴存在。 从能量的观点分析180°布洛赫壁，若原子磁矩在相邻两原子间突然反向，交换能的改变： 如果在n个等距的原子面间逐步均匀地转向，则相邻两个原子间的交换能： 当φ足够小（n足够大）时， 则得： 此时相邻两原子自旋的交换能的变化： 在n+1个自旋磁矩的转向中，交换能的总变化： （2） 比较（1）、（2），后者的交换能变化比前者低得多，因此 畴壁中的原子磁矩必然是逐布转向！ 畴壁是原子磁矩由一个磁畴方向逐步转向相邻磁畴的方向的过渡区。在畴壁内的交换能、磁晶各向异性能及磁弹性能都可能比磁畴内高，所高出的部分的能量称为畴壁能（Eω），常用畴壁单位面积的能量（即畴壁能密度）??来度量。 若只考虑交换能，则在畴壁内相邻原子磁矩的方向改变越小，交换能越小，即交换能使畴壁无限加宽。但是，n越大，就有更多的原子磁矩偏离易