1带缝隙机箱的屏蔽效能研究分析报告.pptVIP

带缝隙机箱屏蔽性能的研究 张欢 马宁 通信工程系 Agenda 1、电磁屏蔽概述 2、矩形缝隙对屏蔽性能的影响 1）屏蔽效能曲线 2）电场分布 3）PCB的感应电流分析 3、圆形孔缝对屏蔽性能的影响 1）屏蔽效能曲线 2）电场分布 1、电磁屏蔽概述 电磁波进入屏蔽电子系统的途径主要有两条，一是通过系统的天线耦合进入系统，即所谓的“前门”耦合；二是通过系统上的孔洞和缝隙等进入系统，即所谓的“后门”耦合。 由于通过前门耦合的能量有可能被系统的保护器件阻隔而不会对系统产生干扰或破坏，而系统的孔缝不可避免，所以，通过后门耦合进入系统，并对系统内的器件进行干扰或破坏是高功率微波能量进入目标系统的重要途径之一。 1、电磁屏蔽概述 关于缝隙对屏蔽体屏蔽效能的影响，可从缝隙对入射电磁波的屏蔽作用入手来分析。 缝隙的屏蔽作用由两部分构成： 其一，由于缝隙开口处的阻抗与自由空间的阻抗不同而造成的反射损耗； 其二，当电磁波投入缝隙后，在缝隙内传输时产生的传输损耗。 2、矩形缝隙对屏蔽性能的影响2.1、建模 采用典型的屏蔽机箱尺寸:300mmX120mmX300mm 机箱的底部有一块PCB板，目的是用于模拟机箱内部的敏感器件，尺寸为120mmX60mmX3mm 2.2、激励源 激励源在矩形缝隙的正上方，设置为平面波入射，沿着-Z方向传播。 通过0.1GHz~3GHz的扫频，观察屏蔽机箱内的场分布。 2.3、屏蔽体的电场分析 f=500MHz时的电场分布图 2.3、屏蔽体的电场分析 f=700MHz时的电场分布图 2.3、屏蔽体的电场分析 通过以上分析可以发现： 随着频率升高，外部的电磁波更容易耦合进机箱内部，对机箱内的敏感元件造成干扰和破坏。 2.4 屏蔽效能曲线 定义：未加屏蔽时某一点的场强E0和同一点加屏蔽时的场强Es之比。 计算公式:SE=20lg(E0/Es) 2.4 屏蔽效能曲线 随着频率的增加，屏蔽性能下降，并且在700MHz附近出现低谷。 Why? 如果忽略缝隙，将机箱视为全封闭的理想谐振腔，那么根据机箱的尺寸能够计算其一次谐振频率约为707MHz左右。 L=100mm,W=10mm L=100mm,W=30mm 2.5 PCB感应电流曲线 PCB微带线在频率500MHz电流分布 3、帯介质矩形缝隙对屏蔽性能的影响3.1、建模 采用典型的屏蔽机箱尺寸:300mmX120mmX300mm 3.2、激励源 激励源在矩形缝隙的正上方，设置为平面波入射，沿着-Z方向传播。 通过0.1GHz~3GHz的扫频，观察屏蔽机箱内的场分布。 3.3、屏蔽体的电场分析 3.4 屏蔽效能曲线 4、圆形孔缝对屏蔽性能的影响4.1、建模 Note: 圆孔面积和矩形缝隙面积相等。 4.2、激励源 激励源与扫频范围与前模型保持一致，以对比效果 4.3、屏蔽体的电场分析 通过以上分析可以发现： 在3GH时候，虽然波更容易耦合进机箱，但是屏蔽箱与外部的磁场分布相比，还是有品比效果的。 4.4、屏蔽效能曲线 随着频率的增加，屏蔽性能不变，并且在1100MHz附近出现低谷。 Why? 如果忽略缝隙，将机箱视为全封闭的理想谐振腔，那么根据机箱的尺寸能够计算其一次谐振频率约为1100MHz左右。 5、加介质圆形孔缝对屏蔽性能的影响5.1、建模 Note: 圆孔面积和矩形缝隙面积相等。 所加介质的参数如下图，介电常数为6.15，厚度为2mm，上下覆盖后打通孔。 5.2、激励源 激励源与扫频范围与前模型保持一致，以对比效果 5.3、屏蔽体的电场分析 通过以上分析可以发现： 在3GH时候，虽然波更容易耦合进机箱，但是屏蔽箱与外部的磁场分布相比，还是有品比效果的。 5.4屏蔽效能曲线 6.带间距孔缝阵列6.1 模型 相邻孔缝中心之间间距30mm，单个圆孔半径缩小为10mm 6.2、激励源 激励源与扫频范围与前模型保持一致，以对比效果 6.3、屏蔽体的电场分析 6.4屏蔽效能曲线 其他模型 由于模型问题，暂无法出结果