还原尾气回收系统操作原则教程解析.docVIP

年产1500吨多晶硅操作规程（试行版） CDI回收工段 内蒙古神舟硅业有限责任公司 CDI回收工段 2010年8月 何礼庆 编写：薛必喆（z主任） 校对： 审核： 批准： 目录 第一章、工艺说明 一、工艺原理 二、工艺流程描述 三、工艺设计数据 暂无 第二章、工艺指标 暂无 一、工艺操作指标 暂无 二、报警设定值一览表 暂无 三、分析项目一览表 暂无 第三章、设备说明 暂无 一、 设备一览表 二、调节阀一览表 暂无 三、安全阀一览表 暂无 三、特殊阀一览表 暂无 五、运转设备 暂无 第四章、操作规程 一、岗位任务及工作范围 二、从属及联系关系 三、责任及权利 四、工艺流程 五、开车（包括原始开车和短期停车后的开车） 六、停车（包括正常停车和紧急停车） 七、停车原则 八、事故处理 九、安全生产规定 附录 泵操作规程 暂无 一、技术数据 暂无 二、启动前准备工作 暂无 三、启动 四、正常检查及维护 暂无 五、停泵 ......................................................................暂无 第一章 工艺说明 一．工艺原理 还原尾气的回收系统是把生成多晶硅的高温还原炉尾气分离成氯硅烷液体，氯化氢气体，氢气的装置。氢气以很高的纯度(1vppm 总计污染物)回到高纯氢系统，回到 CVD 反应器再循环；氮气在回收系统被除去，其他物质都重新利用。 该过程由 CDI 公司设计，工艺设备根据 PID (见CDI图0757-1A～I)，由成达工程购买并且安装，热量平衡和物料平衡见 CDI图0757-1-PFD 。 二．工艺流程描述 2.1 尾气冷凝 还原尾气通过冷却，大部分的氯硅烷组分被分离出来，用立式的管壳式换热器通冷却水冷却，通过冷却水和尾气对流使尾气温度降低至40℃；用冷冻后的低温氢气对该尾气进一步冷却并冷凝出氯硅烷液体，同时氢气本身被加热后送往压缩机；这部分被冷却下来的氯硅烷液体经盐水冷却器深冷后送入氯硅烷缓冲罐D-101，冷却后的气体被用R-22氟利昂冷却的卧式冷却器冷却至-40℃。回收的氯硅烷液体由泵送到到HCL蒸解析塔T-103除去其中的HCL。 2.2 压缩 来自还原炉的尾气进入回收系统的压力为4.99巴，吸附净化阶段的操作压力为14巴，除了在往复式压缩机出口温度限制值之前所能达到的最大压力之外，这是一个最高压力的单独系统。其机械设计压力为18巴。 2.3 吸收和解析系统 吸收/解析系统通过用冷的氯硅烷液体来吸收HCL，防止杂质进入活性炭吸附系统。 气体与主要含有SiHCl3和SiCl4的液体于-40℃的低温下在HCl吸收塔T-102接触，99.8%的HCL被吸收。吸收HCl后的液体叫富液，被送至HCl解析塔T-103，99.9%的HCL在-40℃下以液体形式在解析塔顶被回收。 SiCl4的循环量由进入系统的尾气成分所确定。 回到吸收塔T-102的氯硅烷流量由解析塔T-103下部的液位所控制，小范围的流量变化对吸收塔T-102的影响可以忽略。即使出口气体流量偏低于设计值，该系统在操作时也很容易控制到其设计流量。 蒸馏塔T-103的运行对氯硅烷的进料流量和温度很敏感,因为它们代表解析塔主要的热负荷。HCL含量从零到设计值的变化，几乎不影响塔的正常运行。因此,可以通过氯硅烷的进料流量和温度来控制解析塔T-103。再沸器的热负荷通过一种由进入再沸器蒸汽流量和温度计算出来理论蒸汽流量的新型方法控制。 2.4 吸附系统 残留在H2中的HCl和氯硅烷在环境温度下通过吸附器时被活性炭吸附。气体由柱底部向上通过Chlorsorb RL-13活性炭，出口H2纯度达到99.9999%。唯一不被除去的成分有氮气、一氧化碳和二氧化碳，这些成分都不是引入的尾气中所提到的。 吸附塔每6小时运行吸附循环一次，当一台塔处在吸附状态时，另外两台塔处在再生状态。再生过程包括泄压、加热、热吹扫、冷却和升压。 产品氢气用于吹扫和升压阶段，加热和冷却是通过泵把蒸汽冷凝液送入吸附塔的盘管内来完成的。 三．工艺设计数据 尾气 回收的 回收的 回收的 氯硅烷 氢气 HCl 压力,巴（表压） 4.99 15.99 11.99 8.99 温度, °C 200 41 35 20 组成, kg/hr H2 817.0 nil 800.6 0.01