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晶体结构 1.4.1 固溶体 点阵畸变 铁碳相图 固溶处理目的 * * 晶体的特征 (1)具有整齐规则的几何外形 (2)具有固定的熔点 (3)有各向异性 质点（分子、原子或离子）在空间有规则 地排列成的，具有整齐的外形，以多面体 出现的固体物质叫晶体。 晶体： NaCl晶体的晶格 Na+ Cl－ 晶胞是晶体的代表，是晶体中的最小单位。晶格就是多个晶胞并置，晶体就是由无数的晶胞组成的。 NaCl晶体的晶胞 金属晶体 金属晶体的晶格结点上排列着金属原子或金属阳离子，在结点的间隙中有许多从金属原子上“脱落下来”的自由电子，整个晶体靠共用一些自由电子结合起来，所以质点间的作用力是很强的金属键力。 金属键——由许多原子或离子共用一些能够不停地运动的自由电子而形成的特殊 形式的共价键，叫金属键。 自由电子 + 金属离子 金属原子 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + 合金(alloy)----两种或两种以上的金属或金属与非金属经冶炼、烧结或其他方法组合而成并具有金属特性的物质。组元----组成合金的基本单元。组元可以是金属和非金属,也可以是化合物 相(phase)----合金中具有同一聚集状态,同一化学成分、同一晶体结构和性质并以界面相互隔开的均匀组成部分。 合金相结构 ? 相分类:固溶体和中间相(金属间化合物) 中间相是合金组元间发生相互作用而形成的一种新相,它可以是化合物,也可以是以化合物为基的固溶体(二次固溶体),一般可以用化学分子式来表示,但不一定符合化合价规律。 中间相中原子的结合方式为金属键与其它结合键相混合的方式。它们都具有金属特性。 钢中Fe3C、铝铜合金中CuAl、黄铜中CuZn、半导体中GaAs、形状记忆合金中NiTi和CuZn、核反应堆材料中Zr3Al、储氢能源材料中LaNi5等都是属于中间相（金属间化合物）。 中间相分类：正常价化合物、电子化合物、原子尺寸有关化的化合物(间隙相、间隙化合物、TCP相) 。 正常价化合物（valence compound）是一些金属与电负性较强的Ⅵ、Ⅴ、Ⅳ族的一些元素按照化学上的原子价规律所形成的化合物。其特点是符合化合物规律。具有严格的化合比、成分固定不变，成分可用化学式表示,一般为AB型、AB2型或A2B型。 正常价化合物的晶体结构通常对应于同类分子式的离子化合物结构。例如:A2B型 Mg2Pb Mg2Sn Mg2Ge Mg2Si AB型 MgS MnS FeS NaCl型：Mg(Ca,Sr Ba)Se AB2：AuAl2. 电子价化合物（electron compound）是由ⅠB族（Cu、Au、Ag）或过渡族金属（Fe、Co、Ni）与ⅡB、ⅢB、ⅣB族元素形成的金属化合物。电子价化合物的特点是不遵循原子价规律、电子浓度是决定其晶体结构的主要因素。电子浓度相同,相的晶体结构类型相同。 固溶体是以某一组元为溶剂，在其晶体点阵中溶入其他组元原子（溶质原子）所形成的均匀混合的固态溶体，它保持着溶剂的晶体结构类型。 一、固溶体分类 (1)按溶质原子在点阵中所占位置分为： 置换固溶体(substitutional solid solution)：溶质原子置换了溶剂点阵中部分溶剂原子。金属和金属形成的固溶体都是置换式的。如，Cu-Zn系中的α和η固溶体都是置换式固溶体。 在金属氧化物中，主要发生在金属离子位置上的置换，如：MgO-CaO，MgO-CoO，PbZrO3-PbTiO3，Al2O3-Cr2O3等。 间隙固溶体(interstitial solid solution) ：溶质原子分布于溶剂晶格间隙中。 金属和非金属元素H、B、C、N等形成的固溶体都是间隙式的。如，在Fe-C系的α固溶体中，碳原子就位于铁原子的BCC点阵的八面体间隙中。 固溶体的两种类型（置换和间隙） 间隙固溶体间隙溶质引起与置换固溶体大小溶质原子引起的点阵畸变与的点阵畸变 晶格畸变能：点阵畸变使晶体能量升高，这种升高的能量即为晶格畸变能。 在局部范围，原子偏离其正常的点阵平衡位置，造成点阵畸变。 在金属材料中， 点阵畸变会使得晶体能量升高，阻碍位错的运动，产生材料的强化，韧性降低 。 固溶强化：融入固溶体中的溶质原子造成晶格畸变，晶格畸变增大了 位错运动的阻力，使滑移难以进行，从而使合金固溶体的强度与硬度增加。这种通过融入某种溶质元素来形成固溶体而使金属强化的现象称为固溶强化。在溶质原子浓度适当