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① 临界强反型时，Vs = 2VB 开启电压： 使半导体空间电荷层处于临界强反型时， 在MIS结构上所加的栅压。 ② 强反型时，Vs 2VB p类型MIS结构总结： VG 0 : 多数载流子堆积状态, φs 0 能带上弯 VG = 0 : 平带, φs = 0 能带不弯曲 0 VG VT : 耗尽 , 2φF φs 0 能带下弯 0 VG VT : 弱反型 , φF φs 2φF 能带下弯 VG = VT : 强反型开始, φs = 2φF 能带下弯 VG VT : 强反型 , φs 2φF 能带下弯 半导体物理学 第八章 半导体表面与MIS结构 学 号：110420164 姓 名：阮 敏 日 期：2011.12.1 第八章 半导体表面与MIS结构 Semiconductor surface and metal-insulator-semiconductor structure 沈阳工业大学电子科学与技术系 本章重点： 表面态概念 表面电场效应 MIS结构电容-电压特性 硅-二氧化硅系统性质 §8.1 表面态 理想表面：表面层中原子排列有序、对称与体内原子完全相同，且表面不附着任何原子或分子的半无限晶体表面。 实际表面： 往往存在氧化膜或附着其他分子或原子，这使得表面分析更加复杂难以弄清楚。 表面态：晶格周期性在表面处中断或其它因素而引起的局（定）域在表面附近的电子状态。理想表面上形成的表面态称为达姆表面态。 表面能级：与表面态相应的能级称为表面能级。分布在禁带内的表面能级，彼此靠得很近，形成准连续的分布。 对于理想表面的问题求解，需要建立薛定谔方程，利用具体的边界条件对波函数加以求解。 对于硅表面态：表面最外层每个硅原子有一个未配对电子，有一个未饱和键，称为悬挂键，由于每平方厘米表面有1015个原子，相应悬挂键亦有1015个，这与实验测量值在量级上相符合。 对于表面能级，和半导体内部杂质和缺陷能级相类似，也分为施主类型和受主类型，但对于其在禁带中的分布，目前还没有得出一致结论。 半导体表面态为施主态时，向导带提供电子后变成正电荷，表面带正电；若表面态为受主态，表面带负电。 表面附近可动电荷会重新分布，形成空间电荷区和表面势（Vs），而使表面层中的能带发生变化。 §8.2 表面电场效应 Effect of Surface Electric 多子积累状态 耗尽状态 反型状态 理想MIS结构的四个要求： （1） 金属和半导体不存在功函数差，即：Wm=Ws ； （2）绝缘层内无电荷：QI =0，且绝缘层不导电：IL=0； （3）绝缘层与半导体界面处不存在界面态Qss=0; （4）由均匀半导体构成，无边缘电场效应。 金属栅电极 绝缘层 VG VG C0 Cs 半导体 MIS结构 等效电路 Ec EF EV 金属 半导体 表面电荷层 MIS结构外加偏压之后，在绝缘层一侧的半导体表面附 近形成的电荷区称为表面电荷层。 表面势(Vs) 半导体表面电荷层两端的电势差称为表面势。 规定：表面电势比体内高时，Vs取正值； 表面电势比体内低时，Vs取负值。 1、 理想MIS系统定性分析 （以P类型为例） - 静电平衡、堆积、耗尽、反型 VB VB为费米电势，决定半导体的类型及程度 对于理想MIS结构 （1）静电平衡状态 VG=0 EC EV Ei EFs VG0 Qs Qm P型半导体 （2）多数载流子堆积状态 （1）能带向上弯曲并接近EF；（2）多子在半导体表面积累，越接近半导体表面多子浓度越高。 特征 qVG EFm 得知，随着表面处的Ei相对于 内部上升则表面处的空穴浓度 亦随之升高，称此时P型半导体 空穴发生堆积现象。 由空穴浓度 半导体内电场强度 空穴随 位置分布 半导体表面处堆积的空穴 金属表面处 堆积的电子 （3）多数载流子耗尽状态 Qs Qm （1）表面能带向下弯曲；（2）表面上的多子浓度远少于体内，基本上耗尽，表面带负电。 特征 EC EV Ei EFs VG0 x P型半导体 xd qVG 在表面处 低于半导体 内部值 因此，表面电子浓度 EFm （4）少数载流子反型状态 Qn Qm （1）表面能带向下弯曲；（2）表面上的多子浓度远少于体内，基本上耗尽，表面