硅材料-1st要点分析.pptVIP

材料科学与工程学院 材料科学与工程学院 硅的基本性质 硅 属于元素周期表第三周期IV4族，原子序数14，原子量28.085。有无定形硅和晶体硅两种同素异形体。硅原子的电子排布为1s22s22p63s23p2 ,原子价主要为4价，其次为2价，因而硅的化合物有二价化合物和四价化合物两种，四价化合物比较稳定。地球上硅的丰度约为26%。硅在自然界的同位素及其所占的比例分别为：28Si (92.23%); 29Si(4.67%); 30Si(3.10%) 硅的基本性质 晶体硅为钢灰色，密度2.4 g／cm3，熔点1420℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有光泽，有半导体性质。 硅晶体结构：晶胞为面心立方晶胞。原子体积:(立方厘米/摩尔)12.1。晶体硅为灰黑色，无定形硅为黑色，密度2.32-2.34克／立方厘米，熔点1410℃，沸点2355℃，晶体硅属于原子晶体，硬而有金属光泽，有半导体性质。 硅guī（台湾、香港称矽xī）是一种化学元素，它的化学符号是Si，旧称矽。 硅属于共价四面体 一、硅的晶胞 处在立方体顶角和面心的原子构成一套面心立方格子， 处在体对角线上的原子也构成一套面心立方格子。因此可以 认为硅晶体是由两套面心立方格子沿体对角线位移四分之一 长度套构而成的。这种晶胞称为金刚石型结构的立方晶胞， 如下图所示。 金刚石结构特点 （1）共价四面体： 一个原子在四面体的中心， 另外4个同它共价的原子在 正四面体 的4个顶角上， 这种四面体也称共价四面体。 （2）晶体内部的空隙 金刚石结构的另一个特点是内部存在着相当大的“空隙”。硅晶体内大部分是“空”的一些间隙杂质能很容易地在晶体内运动并存在于体内，同时对替位杂质的扩散运动提供了足够的条件。 二、硅材料工业的发展 硅在自然界中通常以化合物形态存在，直到20世纪，人们才发现硅具有半导体性质。 硅工业的发展历程大体可以归纳如下： 1. 1917年切克劳斯基（Czochraski）发明了拉晶方法，。 2. 1950年被蒂尔（Teal）和里特尔（Little）两人应用于拉制锗单晶及硅单晶，这就是目前应用广泛的直拉法，即Cz法。 3. 1952年普凡（Pfann）发明了 区熔法（Float—Zone　Technique），即Fz法。 第一节、硅的基本物理和化学性质 1.1.1半导体硅材料的电性能特点 硅半导体材料的电学性质有两个十分突出的特点： 硅材料的电性能有以下二个显著特点： 一是导电性介于导体和绝缘体之间，其电阻率约在10-4～1010Ω?m 范围内； 二是电导率和导电型号对杂质和外界因素（光、热、磁等）高度敏感。 综上所述，半导体的电阻率数值对温度、杂质和光照三个外部条件变化有较高的敏感性。 什么是半导体？ 导体（Conductor） 导体是指很容易传导电流的物质 绝缘体（Insolator） 是指极不容易或根本不导电的一类物质 半导体（Semiconductor） 导电性能介于导体和绝缘体之间且具备半导体的基本特性的一类材料。 二、本征半导体与杂质半导体 1、本征半导体：不含杂质的纯净半导体， 很少实际应用 2、杂质半导体：有n型和p型 n→电子 p→空穴 第二节、硅的化学性质： 硅的化学性质比较活泼，在高温下能与氧气等多种元素化合，不溶于水、硝酸和盐酸，溶于氢氟酸和碱液，用于制造合金如硅铁、硅钢等。 结晶型的硅是暗黑蓝色的，很脆，是典型的半导体。化学性质非常稳定。在常温下，除氟化氢以外，很难与其他物质发生反应。 硅原子最外层有4个电子， 既不容易失电子，也不容易得电子 可得4个电子，显氧化性 可失4个电子，显还原性 硅与卤素或卤化氢作用可生成相应的卤化物。生成的SiCl4可作为硅外延生产的原料，生成的SiHCl3是高纯硅化学提纯的中间产物。 硅在高温下可与H2O、O2发生如下反应，硅平面工艺中，常用此反应制备SiO2掩蔽膜。 硅烷的活性很高，在空气中自燃，固态硅烷与液氧混合，在-190℃低温下也易发生爆炸，因其危险性，使用受到限制。 硅烷由于4个键都是Si-H键，很不稳定，易热分解。用这一特性可制取高纯硅。 在室温下，硅的化学性质比较稳定，与空气、水和酸均无反应，但与强酸、强碱作用，硅极易被HNO3 –HF的混合酸所溶解，因此，在硅片加工及集成电路器件工艺中，HNO3 –HF混合酸常常用作硅的腐蚀液。在高温下，硅与锗的化学活性大，可与氧、卤素、卤化氢、碳等反应。 第三节、硅的光学和力学性质： 硅材料的热学性质 硅是具有明显的热膨胀及热传导性质的材料，当硅在熔化时其体积会缩小，反之，当硅从液态