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第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失性存储器、自旋量子计算机等领域有广阔的应用前景，因此成为自旋电子学领域中新的研究热点。 第二部分是取得的主要学术成绩。第一个方面是关于氧化物稀磁半导体薄膜的研究。 有关电子电荷和电子自旋两种属性的研究和应用是平行发展、相互独立的。稀磁半导体能同时利用电子的电荷和自旋，在磁感应器、高密度非易失