高电压技术历年自考全套试题技术分析.docVIP

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  • 2018-03-26 发布于湖北
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高电压技术历年自考全套试题技术分析.doc

全国2002年4月高等教育自学考试 高电压技术试题 课程代码:02653 一、单项选择题 本大题共10小题,每小题1分,共10分 在每小题列出的四个选项中只有一个选项是符合题目要求的,请将正确选项前的字母填在题后的括号内。 1.流注理论未考虑 B 的现象。 A.碰撞游离 B.表面游离 C.光游离 D.电荷畸变电场 2.先导通道的形成是以 C 的出现为特征。 A.碰撞游离 B.表现游离 C.热游离 D.光游离 3.极化时间最短的是 A A.电子式极化 B.离子式极化 C.偶极子极化 D.空间电荷极化 4.SF6气体具有较高绝缘强度的主要原因之一是 D A.无色无味性 B.不燃性 C.无腐蚀性 D.电负性 5.介质损耗角正切值测量时,采用移相法可以消除 B 的干扰。 A.高于试验电源频率 B.与试验电源同频率 C.低于试验电源频率 D.任何频率 6.不均匀的绝缘试品,如果绝缘严重受潮,则吸收比K将 C A.远大于1 B.远小于1 C.约等于1 D.不易确定 7.构成冲击电压发生器基本回路的元件有冲击性主电容C1,负荷电容C2,波头电阻R1和波尾电阻R2。为了获得一很快由零上升到峰值然后较慢下降的冲击电压,应使 B A.C1 C2,R1 R2 B.C1 C2,R1 R2 C.C1 C2,R1 R2 D.C1 C2,R1 R2 8.

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