第一章知识点及对应的作业材料.ppt

解： (1)当VBB=0时，则IB=0，IC≈0，所以T 截止，uO =12V。 (2)当VBB=1V时，因 则UCE =uO =VCC -βIBRC = 9VUBE(0.7V) 所以T处于放大状态。 (3)当VBB=3V时，因 UCE=VCC -βIBRC = -11V0V 显然这不可能，此时只有IC ?IB，才能满足0UCEUBE (0.7V) ，即T处于饱和状态。由于信息不足，无法得出uO具体数值 。 (1-*) 温度对输入特性的影响 温度升高时正向特性左移，反之右移 温度对输出特性的影响 温度升高将导致 IC 增大 iC uCE O iB 200 600 温度对输出特性的影响 60 40 20 0 0.4 0.8 I / mA U / V 温度对输入特性的影响 200 600 (1-*) 晶体管主要参数 ICBO：发射极开路时集电结的反向饱和电流。 ICEO：基极开路时集电极与发射极间的穿透电流(受温度影响大) ICEO=（1+ ）ICBO U(BR)CBO U(BR)CEO 最大集电极电流ICM。当?值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 最大集电极耗散功率PCM。高温会使得管子特性明显变坏甚至烧坏，所以PC?PCM。 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。反之，当温度降低100C时，ICBO减少一倍。 (1-*) 由PCM、 ICM和UCEO，可以在晶体管输出特性曲线上确定：过损区、过流区、过压区（也叫击穿区）以及安全工作区。 PCM= iCuCE U (BR) CEO UCE/V (1-*) 光电三极管 一、符号、等效电路 二、光电三极管 的输出特性曲线 c e c e iC uCE O 光电三极管的输出特性 E1 E2 E3 E4 E＝0 功能可等效为一只光电二极管与一只晶体管相连，并仅引出集电极与发射极。 光电三极管依据光照的强度来控制集电极电流的大小。 知识点及对应的作业解析 第 1 章 (1-*) 1.1.1 本征半导体：完全纯净的、不含其他杂质且具有晶体结构。 特点：当受外界热和光的作用时，掺入某些杂质，导电能力明显改变。 结构：最外层四个价电子，每个原子与其相临的原子之间形成共价键；共价键中的两个电子被紧紧束缚，称为束缚电子。 §1.1 半导体的基本知识 二种载流子：热激发可使束缚电子获得足够的能量而脱离共价键束缚而成为自由电子，同时共价键上留下一个空穴。常温下本征半导体中载流子很少，因此导电能力很弱。 (1-*) 导电机理:自由电子移动、空穴移动产生电流。 注:空穴吸引附近束缚电子来填补，相当于空穴移动。 本征激发 复合 动态平衡 本征半导体导电能力取决于载流子浓度：温度越高则载流子浓度越高，因此导电能力越强。 载流子浓度:自由电子与空穴的浓度相等。 温度是影响半导体性能的一个重要的外部因素，这是半导体的一大特点。 (1-*) 1.1.2 杂质半导体：掺杂浓度远大于本征半导体中载流子浓度，使得半导体的某种载流子浓度大大增加。 N 型半导体：五价施主原子的掺杂使得自由电子浓度大大增加的杂质半导体，也称电子半导体。自由电子称为多数载流子(多子)，空穴称为少数载流子(少子)。 + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + + P 型半导体：三价受主原子的掺杂使得空穴浓度大大增加的杂质半导体，也称空穴半导体。空穴是多子，电子是少子。 － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － － 判断下列说法是否正确，用×和√表示判断结果填入空内。 (1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。 (2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。 ( √ ) ( × ) 选择合适答案填入空内。 (l)在本征半导体中加入( )元素可形成N 型半导体，加入( )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 A C (1-*) 1.1.3 PN结——二极管器件的基石 在同一片半导体基片上，分别制造P 型半导体和N 型半导体，经过载流子的扩散，在它们的交界面处就形成了PN 结。 扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，空间电荷区越宽。 内电场(其方向即正电荷的受力方向)会阻止扩散运动，同时内电场越强则使漂移运动越强，而漂移会使空间电荷区变薄。 当扩散和漂移这一对相反的运动最终达到平衡，相当于两个区之间没有电荷运动，空间电荷区的厚度固定不变。 PN结的单向导电性 正向偏置：内电场被削弱，多子的扩散加强能够形成较大的扩散电流；PN结变薄。 反向偏置：内电场被加强，多子扩散受抑制，少子漂移加强，但少子