三极管及MOS管的重点.ppt

第3章、三極管及MOS管的講解 3.1 双极性晶体三极管 3.3.1 晶体管的结构 晶体管的结构示意图如图02.01所示。它有两种类型：NPN型和PNP型。 中间部分称为基区，相连电极称为基极，用B或b表示（Base）；一侧称为发射区，相连电极称为发射极，用E或e表示（Emitter）；另一侧称为集电区和集电极，用C或c表示（Collector）。E-B间的PN结称为发射结，C-B间的PN结称为集电结。 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。从外表上看两个N区(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米。 1、晶体管中载流子的移动 双极型半导体三极管在工作时一定要加上适当的直流偏置电压。若在放大工作状态：发射结加正向电压，集电结加反向电压。现以 NPN型三极管的放大状态为例，来说明三极管内部的电流关系， 见图02.02。 1）发射区向基区发射电子 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。IE＝IEN＋IEP≈IEN。 （2）电子在基区的扩散和复合情况 进入基区的电子将向集电结方向扩散。在扩散过程中，有部分电子与基区的多子空穴复合而消失，被复合的电子形成的电流是IBN （3）集电极收集电子 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。 结论：IEN＝ICN＋IBN 且有IEN IBN ， ICNIBN 2、晶体管电路中的电流方式 (1) 三种组态 双极型三极管有三个电极，其中两个可以作为输入, 两个可以作为输出，这样必然有一个电极是公共电极。三种接法也称三种组态，见图02.03。 共发射极接法，发射极作为公共电极； 共集电极接法，集电极作为公共电极； 共基极接法，基极作为公共电极。 1) 共射接法中的电流传输方程式 通过改变IB可控制IC的变化。 IC≈ IE＝ (IC＋IB)＝ IC＋ IB （1－ ）IC≈ IB IC≈ IB＝ IB 控制系数（传输系数） ≈IC／IB 称为直流共射集-基电流比或直流电流放大倍数。 3.3.2 共射接法晶体管的特性曲线 共发射极接法的供电电路和电压-电流关系如图02.04所示 。 图02.04 共发射极接法的电压-电流关系 1、输入特性曲线 输入特性曲线——IB＝f（UBE）? 简单地看，输入特性曲线类似于发射结的伏安特性曲线，现讨论IB和UBE之间的函数关系。因为有集电结电压的影响，它与一个单独的PN结的伏安特性曲线不同。为了排除UCE的影响，在讨论输入特性曲线时，应使UCE＝常数。 共发射极接法的输入特性曲线见图02.05。其中UCE＝0V的那一条相当于发射结的正向特性曲线。当UCE ≥1V时，UCB= UCE—UBE0，集电结已进入反偏状态，开始收集电子，使基区复合减少，IC / IB增大， 特性曲线将向右稍微移动一些 。但UCE再增加时，曲线右移 很不明显。因为UCE＝1V时， 集电结已把绝大多数电子收集过去 ，收集电子数量的比例不再明显增大。 工程实践上， 就用UCE＝1V的输入特性曲线代替UCE 1V以后的输入特性曲线。 2、输出特性曲线 输出特性曲线—— IC＝f（UCE）? 共发射极接法的输出特性曲线如图02.06所示，它是以IB为参变量的一族特性曲线。输出特性曲线可以分为三个区域。现以其中任何一条加以说明，当UCE =0 V时，因集电极无收集作用，IC=0。当UCE微微增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压（UCB =UCE—UBE）很小，收集电子的能力很弱，IC主要由UCE决定，此区域称为饱和区。当UCE增加到使集电结反偏电压较大时，运动到集电结的电子基本上都可以被集电区收集，此后UCE再增加，电流也没有明显的增加，特性曲线进入与UCE轴基本平行的区域 (这与输入特性曲线随UCE增大而右移的原因是一致的) ，此区域称为放大区。 （1）截止区——IC接近零的区域，相当IB=0的曲线的下方。此时，发射结反偏，集电结反偏。 （2）放大区——IC平行于UCE轴的区域，曲线基本平行等距。此时，发射结正偏，集电结反偏。 实际上，大约在UCE1V和IB0的区域是输出特性曲线族上的放大区。此区为放大电路中晶体管应处的工作区域。 在放